[实用新型]一种LED倒装芯片

权利要求书

1.一种LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，其特征在于：

所述衬底自下至上依次层状叠加的设置有N型层、发光层、P型层和反射层，N型层、发光层、P型层和反射层采用蚀刻工艺露出衬底的上表面形成一沟槽，纵横设置的沟槽将衬底上的N型层、发光层、P型层和反射层分割成彼此相互绝缘独立的多个芯片；

所述芯片表面形成贯穿反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔；

所述芯片上反射层采用蒸镀及光刻工艺后与P型层上表面之间形成台阶；

所述反射层的上表面以及四周侧壁面采用溅射或喷涂工艺覆盖有第一绝缘层，所述反射层上表面上侧的第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有多个与反射层上表面贯通的第一接触孔；

所述反射层上表面上侧对应的第一绝缘层上表面采用溅射或蒸镀工艺形成覆盖其上表面、或者所述P型层外露上表面采用溅射或蒸镀工艺形成包裹整个第一绝缘层上表面以及四周侧壁面且覆盖P型层外露上表面部分或全部的具有布线图案的P引线电极，所述P引线电极通过第一接触孔与反射层导电连接；

所述N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成与N型层导电连接的N引线电极；

所述N引线电极与P引线电极采用相同的具有高反射性能材料同时沉积形成；

所述沟槽的表面、所述N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙、以及N电极孔外边缘采用溅射或喷涂工艺覆盖有另外一部分的第一绝缘层，并在另外一部分的第一绝缘层基础上采用溅射或喷涂工艺覆盖P型层外露上表面、N引线电极的外露表面、以及P引线电极的外露表面形成第二绝缘层；或者在未覆盖有另外一部分的第一绝缘层基础上，在所述沟槽的表面、所述N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙、P型层外露上表面、以及P引线电极的外露表面采用溅射或喷涂工艺一次性覆盖形成第二绝缘层；

所述第二绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有与N引线电极上表面贯通的N型接触孔，所述第二绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术还开设有与P引线电极上表面贯通的P型接触孔；

所述N焊盘通过第二绝缘层设置的N型接触孔与N引线电极导电连接，所述P焊盘通过第二绝缘层设置的P型接触孔与P引线电极导电连接，所述P焊盘与N焊盘之间采用印刷和电镀技术相互绝缘。

2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N型氮化镓层，所述P型层为P型氮化镓层。

3.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述芯片表面均匀分布有多个N电极孔。

4.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述P焊盘与P引线电极之间的第二绝缘层上均匀分布有多个便于两者导电连接的P型接触孔。

5.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述N引线电极为圆柱形状。

6.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述N引线电极和P引线电极均采用Cr、Al、Ni、Ti、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金制成。

7.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述P焊盘和N焊盘均采用铝、镍、钛、铂金、金中一种材料制成且厚度均为0.5um～2um，所述P焊盘与N焊盘之间的间隔为等于或大于150um。