[实用新型]一种LED倒装芯片

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体光电芯片技术领域，尤其涉及一种LED倒装芯片。

【背景技术】

通常，通过用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅或其它适当的衬底上外延地生长不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制造III族氮化物发光器件。该叠层常常包括用例如Si掺杂的在衬底上形成的一个或多个n型层、在形成于一个或多个n型层上的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区上形成的用例如Mg掺杂的一个或多个p型层。在n和p型区上形成电接触，常常将III族氮化物器件形成为倒置或倒装芯片器件，其中，在半导体结构的同一侧形成N和P接触两者，并且从与接触相对的半导体结构的那侧提取光。

常常使用银作为反射性p接触且已知其易受由机械应力、化学反应或电迁移引发的输运影响。例如，在图1中举例说明了具有银P接触的III族氮化物LED且在美国专利6,946,685中对其进行了描述。US6,946,685教导了“银电极金属化在存在湿气和电场(诸如，例如由于在器件的接触处施加工作电压而逐渐产生的场)的情况下经受电化学迁移。银金属化到器件的PN结的电化学迁移导致跨越结的交流旁路路径，其降低器件的效率。

图1举例说明包括半导体结构的发光器件，该半导体结构包括在III-V族氮化物半导体的n型层120与III族氮化物半导体的P型层140之间的发光有源区130A。在p型层上沉积包括银金属的P电极160，并将n电极(图1中未示出)与n型层藕合。提供了能够用来跨越所述电极施加电信号以引起来自有源区的光发射的手段，并且提供了用于防止银金属从p电极朝向有源区的电化学迁移的迁移阻挡层175，其中，迁移阻挡层175是导电防护片；导电防护片完全包围银，覆盖银金属p电极的边缘。而且，由金属构成的迁移阻挡层175通常为含有Ti或W的材料制成，然而Ti/W材料吸收可见光，所以覆盖Ag电极后露出的部分会形成″黑边″10吸收可见光，从而降低LED的光效。

在图1所示的器件中，为了用导电防护片(迁移阻挡层175)密封银接触，迁移阻挡层175完全包裹并密封银，反射性p电极160的边缘112与迁移阻挡层175的边缘之间的带称为″黑带″10；因为其不是如银P电极160一样是反射性的，光被黑带吸收会降低器件的效率。

【发明内容】

本发明的目的在于改善LED倒装芯片内部结构而提升LED的效率和亮度，提供一种LED倒装芯片。

为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案是：