[实用新型]一种抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件有效

专利信息
申请号: 201520741597.5 申请日: 2015-09-23
公开(公告)号: CN204905272U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 倪志春;魏青竹;蔡霞;许志翔;陈国清 申请(专利权)人: 中利腾晖光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H02S30/10
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 仇波
地址: 215542 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 pid 风沙 太阳能电池 组件
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于光伏太阳能电池领域,具体涉及一种抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件。

背景技术

太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中,太阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域。晶体硅太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反应直接把光能转化成电能的装置。

目前,常规晶体硅太阳能组件的主要结构为:钢化玻璃层、乙烯和醋酸乙烯酯嵌段共聚物、电池片、背板和铝合金边框,整个组件重量约为20kg左右。近几年的研究表明,存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压,会造成组件的光伏性能的持续衰减。而且常规抗PID(PotentialInducedDegradation,即电势诱导衰减)组件在使用3-5年后,组件功率衰减明显,组件寿命期间功率衰减过多,组件寿命变短,导致电站发电量明显下降。现有常规晶体硅组件背板一般采用双面涂覆型背板,其沙落砂测试一般为5L/μm左右,抗风沙能力较弱,并且普通含氟背板在回收时,会有氟化物产生,对环境有氟污染的风险。

发明内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件,它包括太阳能电池串、层叠于所述太阳能电池串两侧的聚烯烃层、层叠于其中一所述聚烯烃层上的前板玻璃层、层叠于另一所述聚烯烃层上的背板、用于夹住所述背板和所述前板玻璃层的边框以及安装在所述背板上用于连接所述太阳能电池串和外部线路的接线盒。

优化地,所述背板的材质为聚酰胺。

进一步地,所述太阳能电池串由至少两个太阳能电池片通过至少一根焊带串接而成。

进一步地,所述边框包括框体、与所述框体一体成型且位于其内侧面的卡框;所述卡框有三道,分别形成于所述框体内侧面的顶部、底部和中部;定义形成于所述框体内侧面顶部的卡框为第一卡框,形成于所述框体内侧面中部的卡框为第二卡框,形成于所述框体内侧面底部的卡框为第三卡框,所述前板玻璃层和所述背板夹设于所述第一卡框和所述第二卡框之间。

优化地,所述聚烯烃层厚度为0.25~0.8mm

由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:本实用新型抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件,通过在太阳能电池串两侧设置聚烯烃层,能够降低水汽透过率,避免了在高电压下封装材料中出现的离子迁移现象,增加组件的抗PID性能,在组件寿命期间不会出现PID现象。

附图说明

附图1为本实用新型抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件的结构示意图;

其中,1、太阳能电池串;11、太阳能电池片;12、焊带;2、聚烯烃层;3、前板玻璃层;4、背板;5、接线盒;6、边框;61、框体;62、第一卡框;63、第二卡框;64、第三卡框。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。

如图1所示的抗PID耐风沙晶硅太阳能电池组件,主要包括太阳能电池串1、聚烯烃层2、前板玻璃层3、背板4、接线盒5和边框6。

其中,太阳能电池串1由至少两个太阳能电池片11通过至少一根焊带12串接而成,焊带12由一个太阳能电池片11的正面连接至另一个太阳能电池片11的背面。聚烯烃层2有两层,它们分别层叠在太阳能电池串1的两侧;它可以根据需要采用热固型或热塑型的,厚度优选为0.25~0.8mm,其具体参数为:波长为382~1100nm的可见光透光率>90%,横向收缩率≤2%,纵向收缩率≤5%,交联度为60~80%,吸水率≤0.01%。前板玻璃层3层叠于其中一层聚烯烃层2上,背板4则层叠于另一层聚烯烃层2上。边框6用于夹住背板4和前板玻璃层3;它包括框体61、与框体61一体成型且位于其内侧面的至少两道卡框,前板玻璃层3和背板4夹设在卡框之间。接线盒5安装在背板4上,用于连接太阳能电池串1和外部线路,采用背接式普通接线盒即可。这样的太阳能电池组件产生了意想不到的效果:降低了太阳能电池片的水汽透过率,避免了在高电压下封装材料(聚烯烃)中出现的离子迁移现象,从而增加组件的抗PID性能,在组件寿命期间不会出现PID现象。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司,未经中利腾晖光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520741597.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top