[实用新型]阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201520748618.6 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN204905257U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 陈传宝;马俊才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于:所述阵列基板包括子像素单元,所述子像素单元包括:
第一透明公共电极;
像素电极,设置于所述第一透明公共电极上方并且与所述第一透明公共电极相绝缘,所述第一透明公共电极在所述像素电极所在面上的正投影与所述像素电极有重叠部分;以及
第二透明公共电极,设置于所述像素电极上方并且与所述像素电极相绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括平坦层,其设置于所述像素电极与所述第二透明公共电极之间。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:所述第一透明公共电极的所述正投影位于所述像素电极所在区域内。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括栅线和数据线,所述栅线和所述数据线彼此交叉以限定所述子像素单元,所述栅线和所述数据线中的至少之一在所述第一透明公共电极所在面上的正投影位于所述第一透明公共电极所在区域之外。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括公共电极线,所述第一透明公共电极与所述公共电极线直接接触,并且二者之间的接触区域与所述第一透明公共电极在所述公共电极线所在面上的正投影所在的区域一致。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:
所述公共电极线与所述栅线同层设置,则所述阵列基板还包括覆盖所述栅线的端部的导电结构,所述导电结构与所述第一透明公共电极同层设置;或者
所述公共电极线与所述数据线同层设置,则所述阵列基板还包括覆盖所述数据线的端部的导电结构,所述导电结构与所述第一透明公共电极同层设置。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:所述第一透明公共电极具有镂空部,所述镂空部在所述像素电极所在面上的正投影位于所述像素电极所在区域中。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于:沿所述第一透明公共电极所在面方向,所述镂空部的平面形状为多边形、圆形或椭圆形。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括公共电极线,所述第一透明公共电极与所述公共电极线接触,并且二者之间的接触区域与所述第一透明公共电极在所述公共电极线所在面上的正投影所在的区域一致。
10.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:所述子像素单元还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层与所述第一透明公共电极同层设置。
11.一种显示装置,其特征在于:所述显示装置包括根据权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的