[实用新型]阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型的至少一个实施例涉及一种阵列基板、显示装置。

背景技术

高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS)技术由于具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差等优点而被广泛应用于各类显示装置中。在ADS液晶显示装置中，像素电极和公共电极都设置于阵列基板上，例如，像素电极可以具有板状结构，公共电极可以具有狭缝状结构，像素电极设置于公共电极和阵列基板的衬底基板之间。通过对公共电极和像素电极加载数据电压可以控制液晶分子的偏转，进而控制通过液晶面板的光线。

阵列基板上设置有多条栅线和多条数据线，这些栅线和数据线彼此交叉以限定多个子像素单元。例如，可以通过对栅线依次施加栅扫描信号以实现图像显示。为更好地满足显示效果的需要，像素电极上的电压通常需要能够保持在某个电压值上，直到下一帧栅扫描信号到来。如果维持在像素电极上的电压过早下降，则会降低ADS液晶显示装置的显示效果。因此，通常ADS阵列基板中的每一子像素单元都包括一个存储电容来满足保持像素电极电压稳定的要求。

实用新型内容

本实用新型的至少一个实施例提供一种阵列基板、显示装置，以在保证子像素单元的开口率的前提下增大阵列基板的存储电容。

本实用新型的至少一个实施例提供了一种阵列基板，其包括子像素单元，所述子像素单元包括第一透明公共电极、像素电极和第二透明公共电极；所述像素电极设置于所述第一透明公共电极上方并且与所述第一透明公共电极相绝缘，所述第一透明公共电极在所述像素电极所在面上的正投影与所述像素电极有重叠部分；以及所述第二透明公共电极设置于所述像素电极上方并且与所述像素电极相绝缘。

例如，所述阵列基板还可以包括平坦层其设置于所述像素电极与所述第二透明公共电极之间。

例如，所述第一透明公共电极的所述正投影可以位于所述像素电极所在区域内。

例如，所述阵列基板还包括栅线和数据线，栅线和数据线彼此交叉以限定所述子像素单元，所述栅线和所述数据线中的至少之一在所述第一透明公共电极所在面上的正投影可以位于所述第一透明公共电极所在区域之外。

例如，所述阵列基板还可以包括公共电极线，所述第一透明公共电极可以与所述公共电极线直接接触，并且二者之间的接触区域与所述第一透明公共电极在所述公共电极线所在面上的正投影所在的区域一致。

例如，所述公共电极线与所述栅线同层设置，则所述阵列基板还可以包括覆盖所述栅线的端部的导电结构，所述导电结构可以与所述第一透明公共电极同层设置；或者所述公共电极线与所述数据线同层设置，则所述阵列基板还可以包括覆盖所述数据线的端部的导电结构，所述导电结构可以与所述第一透明公共电极同层设置。

例如，所述第一透明公共电极可以具有镂空部，所述镂空部在所述像素电极所在面上的正投影位于所述像素电极所在区域中。

例如，沿所述第一透明公共电极所在面方向，所述镂空部的平面形状可以为多边形、圆形或椭圆形。

例如，所述子像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层与所述第一透明公共电极可以同层设置。

本实用新型的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括以上任一项所述的阵列基板。

在本实用新型实施例提供的阵列基板、显示装置中，通过设置与像素电极交叠的第一透明公共电极，使得第一透明公共电极和像素电极之间产生电容，以获得更大的存储电容；第一透明公共电极设置为透明，可以保证阵列基板的开口率；此外，第一透明公共电极设置于像素电极的远离第二透明公共电极的一侧，可以尽量避免对像素电极与第二透明公共电极之间产生的用于控制液晶的电场造成影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。

图1a为一种ADS阵列基板的俯视示意图；

图1b为沿图1a中AA线、BB线和CC线的剖视示意图；

图2a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图2b为本实用新型实施例提供的一种阵列基板沿图2a中aa线、bb线和cc线的剖视示意图；

图3a为本实用新型实施例提供的阵列基板中栅线的端部设置有导电结构的俯视示意图；

图3b为沿图3a中EE线的剖视示意图；