[实用新型]微型晶圆处理设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体处理设备，尤指一种微型晶圆处理设备。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，并于其上制作集成电路(integratedcircuit,IC)，而集成电路的制作过程需要经过数十甚至上百个步骤，如微影、蚀刻、化学沉积等等，而在进行这些制程时，通常会将晶圆置于处理设备之中，与外界做一个隔绝，以提高制程的成功率，并防止制程中所产生的有害物质外露。

一般常见的晶圆处理设备如中国台湾专利公告第I473162号的《用以蚀刻半导体晶圆的设备》，该设备包含有一腔室、一设置于该腔室的一顶部区域的喷头，以及一设置于该腔室的一底部区域的晶圆座，该腔室包含有一处理区域，一晶圆置于该晶圆座上并位于该处理区域，进行制程时，该喷嘴会朝该晶圆进行处理。

然而，该腔室的该顶部区域与该底部区域的间距较大而使该腔室的体积变大，进而增加整体设备的体积，因此，如何减少晶圆处理设备的体积，增加空间的使用效率，实为一大课题。

发明内容

本实用新型的主要目的，在于解决晶圆处理设备的体积较大，而降低空间使用效率的问题。

为达上述目的，本实用新型提供一种微型晶圆处理设备，是针对一晶圆进行处理，该微型晶圆处理设备包含有一第一半部、一设置于该第一半部上方的第二半部、一气体供应单元、一液体供应单元、一环型密封件以及一液体回收件，该第一半部包含有一工作平台、一设置于该工作平台的第一孔洞，该第二半部包含有一对应盖合于该工作平台以形成一容置该晶圆的处理腔室的上盖、一设置于该上盖的第二孔洞以及一连接于该上盖的升降件，该气体供应单元与该第一孔洞、该第二孔洞连通并提供一气体至该处理腔室，该液体供应单元与该第一孔洞、该第二孔洞连通并提供一液体至该处理腔室，该环型密封件设置于该第一半部与该第二半部的一周缘，该液体回收件包含有贯穿该环型密封件并与该处理腔室连通的一回收管路、一排出管路以及一连通该回收管路、该排出管路的过滤部。

所述的微型晶圆处理设备还包含有一设置于该环型密封件上的排气孔。

该第一半部还包含有一设置于该工作平台的升降旋转件。

所述的微型晶圆处理设备还包含有一与该第一孔洞连通的抽真空单元。

所述的微型晶圆处理设备还包含有一电性连接于该气体供应单元、该液体供应单元以及该抽真空单元的控制单元。

所述的微型晶圆处理设备还包含有一设置于该第一半部与该环型密封件外的排放件，该排放件具有一供该气体与该液体排放的排放空间，以及一与该排放空间连通的排放口。

所述的微型晶圆处理设备还包含有一与该排放口连通的负压装置。

综上所述，本实用新型具有以下特点：

一、藉由该上盖对应盖合于该工作平台，形成稍大于该晶圆的该处理腔室，而可缩小该处理腔室，进而减少本实用新型的体积，增加空间使用率。

二、藉由该回收管路与该排出管路与该处理腔室连通，而可回收进入该处理腔室的该液体，该液体再经由该过滤部过滤后，从该排出管路重新输入至该处理腔室，而可重复利用该液体，以降低成本。

附图说明

图1，为本实用新型第一实施例的剖面结构示意图。

图2A～2C，为本实用新型第一实施例的连续作动示意图。

图3，为本实用新型第二实施例的剖面结构示意图。

图4，为本实用新型第二实施例的排放示意图。

具体实施方式

涉及本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合附图说明如下：

请参阅图1及图2A至图2C所示，为本实用新型第一实施例的剖面结构示意图以及连续作动示意图。本实用新型为一种微型晶圆处理设备，是针对一晶圆80进行处理，该微型晶圆处理设备包含有一第一半部10、一设置于该第一半部10上方的第二半部20、一气体供应单元40、一液体供应单元41、一环型密封件50以及一液体回收件60，该第一半部10包含有一工作平台11以及一设置于该工作平台11的第一孔洞12，该第二半部20包含有一对应盖合于该工作平台11以形成一容置该晶圆80的处理腔室30的上盖21、一设置于该上盖21的第二孔洞22以及一连接于该上盖21的升降件23，藉由该上盖21对应盖合于该工作平台11，形成稍大于该晶圆80的该处理腔室30，而可缩小该处理腔室30，进而减少该微型晶圆处理设备的体积，增加空间使用率。