[实用新型]一种新型半导体器件装配结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种新型半导体器件装配结构。

背景技术

现有技术中，半导体器件的管芯上经过镀金处理，在连接半导体器件的管芯时常用铝制导线连接，铝制导线直接和镀金零件键合、铝制导线直接和镀金的管芯表面键合，理论上金、铝间键合会存在柯肯达尔空洞，柯肯达尔空洞会影响键合强度，可能导致脱键的现象，严重影响器件质量。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提供一种新型半导体器件装配结构。

本实用新型通过如下技术方案予以实现：

一种新型半导体器件装配结构，包括底座、焊接层以及铝制导线，所述底座上分别设置有管芯和电极片，所述管芯和底座之间以及电极片和底座之间通过焊接层连接，所述管芯的上方设置有电极片，所述电极片通过焊接层焊接在管芯上，电极片之间通过铝制导线连接。

所述电极片为镀镍铜电极片。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过使用在底座上安装镀镍的铜电极片并在晶体管器件管芯上焊接镀镍的铜电极片，有效的解决了金、铝键合问题，降低生产成本，提高产品的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中：1-焊接层，2-电极片，3-铝制导线，4-管芯，5-底座。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步描述，但要求保护的范围并不限于所述。

如图1所示的一种新型半导体器件装配结构，包括底座5、焊接层1以及铝制导线3，所述底座5上分别设置有管芯4和电极片2，所述管芯4和底座5之间以及电极片2和底座5之间通过焊接层3连接，所述管芯4的上方设置有电极片2，所述电极片2通过焊接层1焊接在管芯4上，所述电极片2之间通过铝制导线3连接。

在管芯4与其他部件连接时，常常会出现连接点不足和工作过程中损坏管芯4的问题，为了避免将管芯4直接与连接件连接，在底座5上分别设置有管芯4和电极片2，电极片2用于扩大管芯4的连接点，避免其他连接件直接与管芯4连接，从而有效地避免在工作过程中损坏管芯4，保证整个器件工作的稳定性；管芯4和电极片2分别焊接在底座5上，因此管芯4和底座5之间以及电极片2和底座5之间通过焊接层1连接。为了在降低成本的同时保证传导的稳定性，管芯4和电极片2之间通过铝制导线3连接。

在生产半导体器件的过程中，管芯4的表面经过镀金处理，当铝制导线3与管芯4焊接时，容易产生柯肯达尔空洞，因此在管芯4的上方设置有电极片2，为了保证电极片2与管芯4连接的稳定性，电极片2通过焊接层1焊接在管芯4上。为了提高电极片2工作的稳定性，确保电极片2与铝制导线3焊接良好的工艺性，电极片2为镀镍铜电极。