[实用新型]一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、下转换减反膜和Ag正电极，Al背场、P型硅、N+层和下转换减反膜为层叠式设置，Ag正电极穿过下转换减反膜与N+层相接触；下转换减反膜包括上层的下转换SiNx层、下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层；下层的二氧化硅层或高折射率SiNx层位于下转换SiNx层与N+层之间，下转换SiNx层中均匀分布下转换材料。

2.如权利要求1所述的一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述下转换材料为铕或铽材料。

3.如权利要求2所述的一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述下转换SiNx层中下转换材料的质量分数为0.01-0.1％。

4.如权利要求1所述的一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为5-15nm，折射率1.4-1.6。

5.如权利要求1所述的一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述下转换SiNx层的厚度为60-75nm，折射率2.0-2.15。

6.如权利要求1所述的一种下转换减反膜晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述高折射率SiNx层的折射率为2.25-2.35，厚度为10-20nm。