[发明专利]用于制备用于微组装的GaN及相关材料的系统及方法

权利要求书

1.一种从硅同质装置衬底制备经释放或可释放结构的方法，所述方法包括：

在包括Si(111)的同质装置衬底上沉积以下各项中的至少一者：GaN、AlGaN、InGaN、InGaAlN及SiN，借此形成外延材料；

使用所述外延材料在所述同质装置衬底上形成装置；

通过从所述外延材料围绕所述装置的至少一部分中移除所述外延材料的至少一部分而形成包括所述装置的可释放结构，借此部分地暴露所述同质装置衬底；

形成锚定结构及拴系结构，所述锚定结构及拴系结构至少部分与所述装置背离所述同质装置衬底的一侧接触且至少部分地与所述同质装置衬底接触；

用蚀刻剂将在所述可释放结构下方的硅材料移除以形成将所述可释放结构连接至所述锚定结构的所述拴系结构，借此形成包括所述装置的可印刷结构，其中通过所述拴系结构及所述锚定结构维持所述可印刷结构的位置和定向；及

将所述同质装置衬底及通过锚定结构及拴系结构连接到所述同质装置衬底的所述可印刷结构暴露于一或多种化学试剂中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述同质装置衬底及所述可印刷结构暴露于一或多种化学试剂包括暴露于经加热的磷酸。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述同质装置衬底及所述可印刷结构暴露于一或多种化学试剂会将表面粗糙度赋予新暴露的表面。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述蚀刻剂是用于执行各向异性硅蚀刻的碱性溶液。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述蚀刻剂是经加热的氢氧化四钾基铵、氢氧化钾、或氢氧化钠。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成装置包括沉积及/或图案化电介质及/或导电薄膜。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述外延材料中形成所述锚定结构及拴系结构。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述锚定及拴系结构是由非外延材料形成的。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其包括在所述同质装置衬底上沉积氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其包括形成一或多个囊封结构以囊封所述可印刷结构的至少一部分。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其包括：

在移除在所述结构下方的硅材料之前，在经暴露硅中形成凹部。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中在经暴露硅中形成凹部包括蚀刻所述经暴露硅。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其包括：微转印印刷所述可印刷结构中的一或多个可印刷子结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述微转印印刷包括：

使所述可印刷结构中的一或多个可印刷结构与具有接触表面的保形转印装置接触，其中所述接触表面与所述一或多个可印刷结构之间的接触将所述一或多个可印刷结构粘附到所述接触表面；

使安置在所述接触表面上的所述一或多个可印刷结构与目的地衬底的接纳表面接触；及

使所述保形转印装置的所述接触表面与所述一或多个可印刷结构分离，其中将所述一或多个可印刷结构转印到所述接纳表面上，借此将所述一或多个可印刷结构组装在所述目的地衬底的所述接纳表面上。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述保形转印装置是弹性体印模。