[发明专利]微组装的高频装置及阵列有效
| 申请号： | 201580038779.9 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN107078088B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·鲍尔;马修·迈托 | 申请（专利权）人： | 艾克斯展示公司技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01G4/38;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组装 高频 装置 阵列 | ||
1.一种多层电容器装置，其包括：
目的地衬底；及
多层结构，其在所述目的地衬底上，其中所述多层结构包括彼此上下堆叠的多个印刷电容器，其中在每一电容器之间沿着所述电容器的至少一个边缘存在偏移，且
其中所述多个印刷电容器是相同形状及大小。
2.根据权利要求1所述的多层电容器装置，其中所述偏移处于一维中。
3.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述偏移处于二维中。
4.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述偏移使得每一电容器的顶部表面的一部分被暴露。
5.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述多个印刷电容器中的每一电容器具有介于100nF/mm2与400nF/mm2之间的电容。
6.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述多个印刷电容器中的每一电容器具有从1μm到10μm、10μm到30μm、30μm到50μm或50μm到100μm的厚度。
7.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述多个印刷电容器中的每一电容器具有从10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的宽度。
8.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述多个印刷电容器中的每一电容器具有从10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的长度。
9.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述多个印刷电容器以并联或串联中的至少一种方式连接。
10.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底是选自由以下各项组成的群组的成员：聚合物、金属、玻璃、半导体及蓝宝石。
11.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底是选自由以下各项组成的群组的成员：树脂、聚酰亚胺、PEN、PET和金属箔。
12.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底对于可见光具有大于或等于50％的透明度。
13.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底对于可见光具有大于或等于80％的透明度。
14.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底对于可见光具有大于或等于90％的透明度。
15.根据权利要求1或2所述的多层电容器装置，其中所述目的地衬底对于可见光具有大于或等于95％的透明度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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