[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201580039339.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106536793B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 宫崎正行 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B24B37/10;C30B25/20;C30B33/02;C30B33/08;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【说明书】：
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