[发明专利]硅酮系密封材料组合物及半导体发光装置

权利要求书

1.一种硅酮系密封材料组合物，其包含(A)二官能热固性硅酮树脂、(B)具有羟基的多官能热固性硅酮树脂、以及(C)固化催化剂，

(A)成分的重均分子量为300～4500，

相对于(A)成分的质量及(B)成分的质量的合计，(B)成分的质量比例为0.5质量％以上且小于100质量％，

(A)成分的重均分子量y、和(B)成分的每100个硅原子中的羟基的个数x满足下式(F1)及(F2)，

(A)成分的平均官能数为1.7～2.3，

(B)成分的平均官能数为2.5～3.5，并且构成(B)成分的重复单元相对于(B)成分的总质量50质量％以上为三官能型，在光程长度1cm、并且波长600nm时测定出的可见光透射率为70％以上，

y＜－60x+4500…(F1)

x＞0…(F2)。

2.根据权利要求1所述的硅酮系密封材料组合物，其为由包含(A)成分和(B)成分的液状组合物及包含(C)成分的液状组合物构成的双组份型组合物。

3.根据权利要求1或2所述的硅酮系密封材料组合物，其中，

相对于(A)成分及(B)成分的合计质量的(B)成分的比例为20～70质量％。

4.根据权利要求1或2所述的硅酮系密封材料组合物，其中，

相对于(A)成分及(B)成分的合计质量的(C)成分的比例为0.001～3.0质量％。

5.根据权利要求1或2所述的硅酮系密封材料组合物，其中，

(C)成分为磷酸系催化剂。

6.根据权利要求1或2所述的硅酮系密封材料组合物，其中，

(C)成分为作为金属成分包含选自锡(Sn)、锌(Zn)、铁(Fe)、钛(Ti)、锆(Zr)、铋(Bi)、铪(Hf)、钇(Y)、铝(Al)、硼(B)及镓(Ga)中的至少一种金属的有机络合物或有机酸盐。

7.根据权利要求1或2所述的硅酮系密封材料组合物，其中，

相对于(A)成分及(B)成分的合计质量还含有0.5～20质量％的(D)不具有羟基的重均分子量300～1500的多官能热固性硅酮低聚物。

8.一种荧光体片用组合物，其在权利要求1～7中任一项所述的硅酮系密封材料组合物中还包含荧光体。

9.一种荧光体片，其使用权利要求8所述的荧光体片用组合物制成。

10.一种半导体发光装置，其具有权利要求9所述的荧光体片。

11.一种半导体发光装置，其具有：

基板、

配置于所述基板上的半导体发光元件、以及

覆盖所述半导体发光元件的表面地设置的密封部，

所述半导体发光元件由所述基板和所述密封部将周围包围地密封，

所述密封部含有包含(A)二官能热固性硅酮树脂及(B)具有羟基的多官能热固性硅酮树脂的组合物的固化物，

(A)成分的重均分子量为300～4500，

相对于(A)成分的质量及(B)成分的质量的合计，(B)成分的质量比例为0.5质量％以上且小于100质量％，

(A)成分的重均分子量y、和(B)成分的每100个硅原子中的羟基的个数x满足下式(F1)及(F2)，

(A)成分的平均官能数为1.7～2.3，

在所述密封部中，在从所述密封部的与所述半导体发光元件接触的表面到所述密封部的与外部气体接触的表面的厚度方向的任意的2点比较相对于(A)成分及(B)成分的合计质量的(A)成分的存在比例时，接近与所述半导体发光元件接触的表面的点的所述(A)成分的存在比例为与接近与所述外部气体接触的表面的点的所述(A)成分的存在比例同等程度以上，

y＜－60x+4500…(F1)

x＞0…(F2)。