[发明专利]钨电容器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器元件，其特征在于，在含有钨的阳极体上依次包含：

含有非晶质的钨氧化物的电介质层；

被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；

半导体层；和

导电体层。

2.根据权利要求1所述的电容器元件，所述结晶性的钨氧化物在X射线衍射中能观测到来自晶体的衍射峰。

3.根据权利要求1所述的电容器元件，所述非晶质的钨氧化物在X射线衍射中观测不到来自晶体的衍射峰。

4.根据权利要求2或3所述的电容器元件，所述来自晶体的衍射峰包含：

在衍射角2θ＝22～25°处出现的3个峰；

在衍射角2θ＝28～29°处出现的峰；

在衍射角2θ＝33～34°处出现的峰；和

在衍射角2θ＝36～37°处出现的峰。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的电容器元件，所述钨氧化物为三氧化钨。

6.一种电容器，包含权利要求1～5的任一项所述的电容器元件。

7.一种电容器元件的制造方法，其特征在于，是制造权利要求1～5的任一项所述的电容器元件的方法，依次包括以下工序：

将钨粉或其成形体烧结而形成阳极体的烧结工序；

使用溶液进行化学转化处理的电介质层形成工序，所述溶液包含选自七价锰化合物、六价铬化合物、卤酸化物、过硫酸化合物和有机过氧化物之中的至少一种；

对所述电介质层浸渗溶液后，在300℃以上进行加热处理的结晶性钨氧化物层形成工序，所述溶液包含选自钨酸、钨酸盐、悬浮有钨氧化物粒子的溶胶、钨螯合物、含钨的金属醇盐之中的至少一种；

形成半导体层的半导体层形成工序；和

形成导电体层的导电体层形成工序。