[发明专利]晶片级无源器件的集成

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

将位于第一半导体基板的上表面上的第一金属覆膜耦合到位于集成电路的有源表面上的第二金属覆膜，其中所述集成电路包括功耗型半导体器件，并且所述第一半导体基板包括所述第一半导体基板中的第一类型无源器件和形成在所述第一半导体基板上的第一组互连器，其中第一类型无源器件中的至少一些位于所述第一半导体基板的所述上表面处，并且直接附接到所述第一半导体基板的所述上表面上的所述第一金属覆膜中的至少一些，所述第一金属覆膜还耦合到所述第一组互连器中的至少一些，并且其中所述第二金属覆膜包括对应于所述第一金属覆膜的图案的图案；

移除所述第一半导体基板中的至少一些以使所述第一组互连器中的至少一些暴露在所述第一半导体基板的下表面上；

在所述第一半导体基板的所述下表面上形成第三金属覆膜；

将位于第二半导体基板的上表面上的第四金属覆膜耦合到位于所述第一半导体基板的所述下表面上的所述第三金属覆膜，其中所述第二半导体基板包括所述第二半导体基板中的第二类型无源器件和形成在所述第二半导体基板上的第二组互连器，所述第四金属覆膜耦合到所述第二类型无源器件中的至少一些和所述第二组互连器中的至少一些，其中所述第四金属覆膜包括对应于所述第三金属覆膜的图案的图案，并且其中第一类型无源器件和第二类型无源器件是不同类型的无源器件，第一类型无源器件包括电感器，且第二类型无源器件包括电容器；以及

移除所述第二半导体基板中的至少一些以使所述第二组互连器中的至少一些暴露在所述第二半导体基板的下表面上。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括将第五金属覆膜耦合在所述第二半导体基板的所述下表面上，其中所述第五金属覆膜利用所述第一组互连器中的至少一个互连器和所述第二组互连器中的至少一个互连器耦合到所述集成电路。

3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第一半导体基板中的至少一些使所述第一类型无源器件中的至少一些暴露在所述第一半导体基板的所述下表面上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第二半导体基板中的至少一些使所述第二类型无源器件中的至少一些暴露在所述第二半导体基板的所述下表面上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述有源表面包括到所述集成电路中的有源电路的端子，所述方法还包括形成耦合到所述集成电路的所述有源表面上的所述第二金属覆膜的一个或多个柱，其中所述柱位于所述第一半导体基板耦合到所述第二金属覆膜的位置的周边，其中所述柱提供到所述集成电路的输入/输出端子的直接连接，并且其中所述有源表面上的端子包括所述输入/输出端子和用于使用第一类型无源器件和/或第二类型无源器件的到所述集成电路的电压调节连接的端子。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在将所述第一半导体基板中的至少一些移除时，将所述柱的一部分移除，并且所述方法还包括在将所述第一半导体基板中的至少一些和所述柱的所述一部分移除之后，形成耦合到所述柱的柱延伸部。