[发明专利]碳被覆硅材料的制造方法

权利要求书

1.一种碳被覆硅材料的制造方法，其特征在于，包括在CaSi₂和含卤素聚合物的共存下，在该含卤素聚合物的碳化温度以上的温度下进行加热的工序。

2.如权利要求1所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述工序是将CaSi₂和含卤素聚合物混合并在该含卤素聚合物的碳化温度以上的温度下进行加热的工序。

3.如权利要求1所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述工序是使CaSi₂和含卤素聚合物在非接触下共存并在该含卤素聚合物的碳化温度以上的温度下进行加热的工序。

4.如权利要求1～3中任一项所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述加热是多阶段加热，该多阶段加热包括在该含卤素聚合物的分解温度以上的温度下进行加热的工序以及在分解后的聚合物的碳化温度以上的温度下进行加热的工序。

5.如权利要求1～3中任一项所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含卤素聚合物具有下述通式(1)的单体单元，

通式(1)

R¹为3价以上的烃基，X各自独立地为卤素，n为1以上的整数。

6.如权利要求4所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含卤素聚合物具有下述通式(1)的单体单元，

通式(1)

R¹为3价以上的烃基，X各自独立地为卤素，n为1以上的整数。

7.如权利要求1～3中任一项所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含卤素聚合物具有下述通式(2)的单体单元，

通式(2)

R²、R³、R⁴各自独立地选自1价的烃基、卤素取代烃基、氢、卤素，X为卤素。

8.如权利要求4所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述含卤素聚合物具有下述通式(2)的单体单元，

通式(2)

R²、R³、R⁴各自独立地选自1价的烃基、卤素取代烃基、氢、卤素，X为卤素。

9.如权利要求1～3中任一项所述的碳被覆硅材料的制造方法，其中，所述CaSi₂的平均粒径在0.1～50μm的范围内。

10.一种碳被覆硅材料的制造方法，包括将通过权利要求1～9中任一项所述的制造方法得到的碳被覆硅材料进一步用碳被覆的追加碳被覆工序。

11.如权利要求10所述的碳被覆硅材料的制造方法，包括在所述追加碳被覆工序之前将碳被覆硅材料的至少一部分的碳除去的碳除去工序。

12.一种二次电池的制造方法，包括使用通过权利要求1～11中任一项所述的制造方法得到的碳被覆硅材料制造负极的工序。