[发明专利]元件制造方法及转印基板

说明书

能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。

技术领域

本发明是关于形成有构成电子元件的至少一部分的积层构造体的转印基板、与藉由将形成于该转印基板上的积层构造体转印至被转印基板以制造电子元件的元件制造方法。

背景技术

于日本特开2006-302814号公报中揭示有一种有机EL层的形成方法。简单说明之，首先是藉由涂布法(喷射方式等)于第1无端皮带形成空穴输送层，藉由涂布法(喷射方式等)于第2无端皮带形成发光层，藉由涂布法(喷射方式等)于第3无端皮带形成电子输送层。接着，在从供应卷筒供应的片状基板转印形成于第1无端皮带的空穴输送层，其后，将形成于第2无端皮带的发光层转印至空穴输送层上，接着，将形成于第3无端皮带的电子输送层转印至发光层上，藉此形成有机EL层。

发明内容

然而，例如在制造薄膜晶体管等包含半导体元件的电子元件的场合，为了提升半导体元件的性能或良率或使特性稳定，较佳为在容易控制膜厚等真空空间进行成膜，通过如日本特开2006-302814号公报所记载技术的转印方式是难以制造高精度的电子元件。

另一方面，虽一般大多是进行于玻璃基板上制造电子元件，并将完成的电子元件从玻璃基板转印至其他最终基板(例如柔性树脂膜或塑料板)的手法，但此情形下，电子元件的制造业者是在真空空间中进行成膜而将构成电子元件的层形成于玻璃基板，或依据电子元件的积层构造反复进行利用了光刻的显影处理、蚀刻处理、CVD处理、溅镀处理等而作成电子元件后，再将完成的电子元件转印至最终基板。因此，电子元件的制造业者，除了花费使用用以实施将电子元件的层构造形成于玻璃基板上的多数成膜制造工艺的设备来将完成的电子元件制作于玻璃基板上的制造成本以外，还必须花费将玻璃基板上的电子元件转印(转接)至最终基板上的制造成本(设备)。是以，难以压低最终的电子元件(LCD方式或有机EL方式的显示面板、触控面板等)的产品价格，对电子元件的制造业者的负担甚大。

本发明的第1态样，为一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板。

本发明的第2态样，为一种转印基板，是用以在被转印基板转印构成电子元件的至少一部分积层构造体，其特征在于：于前述转印基板的表面形成有前述积层构造体，前述积层构造体是以使用导电性材料形成于前述转印基板上的第1导电层、使用绝缘性及半导体的至少一材料形成于前述第1导电层上的功能层、以及使用导电性材料形成于前述功能层上的第2导电层所构成。

本发明的第3态样，为一种转印基板，是为了于形成包含半导体元件的电子元件的产品基板上转印构成前述电子元件的至少一部分积层构造体而担载前述积层构造体，其特征在于：前述积层构造体，是从前述转印基板的表面侧以使用导电性材料同样地或选择性地形成的第1导电层、使用绝缘性材料或显示半导体特性的材料同样地或选择性地形成的功能层、以及使用导电性材料同样地或选择性地形成的第2导电层的顺序积层。