[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

氧化物半导体膜，其由氧化物半导体材料构成，并且以其一部分为与其它部分相比电阻低的低电阻部且所述低电阻部与所述其它部分分离的形式配置；

第1绝缘膜，其配置在所述氧化物半导体膜的上层侧并且在与所述低电阻部重叠的位置形成有开口部；和

第2绝缘膜，其配置在所述第1绝缘膜的上层侧并且含有氢。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括：

像素电极，其配置在所述第2绝缘膜的上层侧并且由透明电极膜构成；和

电容配线，其配置在所述第1绝缘膜的下层侧并且与所述像素电极重叠配置，

所述氧化物半导体膜以所述低电阻部构成所述电容配线的方式设置。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，包括：

像素电极，其配置在所述第2绝缘膜的上层侧并且由透明电极膜构成；和

晶体管，其配置在所述像素电极的下层侧并且与所述像素电极连接而控制对所述像素电极的电位的供给，

所述氧化物半导体膜以所述其它部分构成所述晶体管所具有的沟道部的方式设置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2绝缘膜由配置在相对下层侧的下层侧第2绝缘膜和配置在相对上层侧的上层侧第2绝缘膜构成。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成氧化物半导体膜的氧化物半导体膜形成工序，该氧化物半导体膜由氧化物半导体材料构成，并且以其一部分与其它部分分离的形式配置；

在所述氧化物半导体膜的上层侧形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序；

在所述第1绝缘膜中的与所述氧化物半导体膜的所述一部分重叠的位置形成开口部的开口部形成工序；和

在所述第1绝缘膜的上层侧形成含有氢的第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第2绝缘膜形成工序中，以220℃～270℃的范围的成膜温度形成所述第2绝缘膜。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第2绝缘膜形成工序中，以150℃～220℃的范围的成膜温度形成所述第2绝缘膜，

所述半导体装置的制造方法包括在进行所述第2绝缘膜形成工序之后以220℃～350℃的范围的温度进行退火处理的退火处理工序。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述退火处理工序中，以270℃～350℃的范围的温度进行退火处理。

9.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第2绝缘膜形成工序包括：以相对较低的成膜温度形成配置在相对下层侧的下层侧第2绝缘膜的下层侧第2绝缘膜形成工序；和以相对较高的成膜温度形成配置在相对上层侧的上层侧第2绝缘膜的上层侧第2绝缘膜形成工序。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述下层侧第2绝缘膜形成工序中，以150℃～270℃的范围的成膜温度形成所述下层侧第2绝缘膜，在所述上层侧第2绝缘膜形成工序中，以220℃～350℃的范围的成膜温度形成所述上层侧第2绝缘膜。

11.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述下层侧第2绝缘膜形成工序和所述上层侧第2绝缘膜形成工序中，使所述下层侧第2绝缘膜中使用的材料与所述上层侧第2绝缘膜中使用的材料相同。