[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

作为现有的半导体装置的制造方法的一个例子已知有下述专利文献1中记载的技术。在该专利文献1中，记载了一种制造方法，该制造方法包括：在基板上形成栅极电极的第一工序；在栅极电极上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成由氧化物半导体构成的氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成电极层的第二工序；在电极层上形成光致抗蚀剂，使用半色调掩模对光致抗蚀剂进行曝光、显影，形成具有厚度厚的第一区域和厚度薄的第二区域的抗蚀剂图案，以抗蚀剂图案为掩模对电极层和氧化物半导体层进行蚀刻的第三工序；将第二区域的抗蚀剂图案除去而作为非覆盖区域之后，以残存的第一区域的抗蚀剂图案为掩模对电极层进行蚀刻的第四工序；在形成第二绝缘层之后对第二绝缘层进行图案化的第五工序；和将非覆盖区域的氧化物半导体层低电阻化的第六工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-91279号公报

(发明所要解决的问题)

在上述专利文献1记载的半导体装置的制造方法中，为了使氧化物半导体层低电阻化而进行氢等离子体处理等特别的处理，因此需要用于进行该处理的设备等。因此产生制造成本易变高等问题。

发明内容

本发明是基于上述的情况而完成的发明，其目的在于以低成本实现氧化物半导体膜的低电阻化。

(解决问题的方案)

本发明的半导体装置包括：氧化物半导体膜，其由氧化物半导体材料构成，并且以其一部分为与其它部分相比电阻低的低电阻部且上述低电阻部与上述其它部分分离的形式配置；第1绝缘膜，其配置在上述氧化物半导体膜的上层侧并且在与上述低电阻部重叠的位置形成有开口部；和第2绝缘膜，其配置在上述第1绝缘膜的上层侧并且含有氢。

如果像这样构成，则第2绝缘膜的一部分通过开口部直接层叠在氧化物半导体膜中的面对第1绝缘膜的开口部的一部分上，因此第2绝缘膜中含有的氢向氧化物半导体膜中的面对开口部的一部分扩散，该一部分成为低电阻部。像这样利用第2绝缘膜将氧化物半导体膜的一部分低电阻化，因此不需要进行以往进行的氢等离子体处理那样的特别处理，因而能够以低成本进行制造。而且，如果在氧化物半导体膜中低电阻部与其它部分相互连结，则存在从第2绝缘膜向低电阻部扩散的氢扩散至其它部分的问题，然而如果像上述那样以低电阻部与其它部分分离的形式配置，则能够避免从第2绝缘膜扩散至低电阻部的氢影响到其它部分。由此能够良好地保持低电阻部和其它部分的电阻的值，因此能够良好地发挥它们的电气性能。

作为本发明的半导体装置的实施方式，优选以下结构。

(1)包括：像素电极，其配置在上述第2绝缘膜的上层侧并且由透明电极膜构成；和电容配线，其配置在上述第1绝缘膜的下层侧并且与上述像素电极重叠配置，上述氧化物半导体膜以上述低电阻部构成上述电容配线的方式设置。如果像这样构成，则电容配线能够通过与像素电极重叠配置而在与像素电极之间形成静电电容，由此能够保持像素电极的电位。因为该电容配线由氧化物半导体中的与其它部分分离的低电阻部构成，所以不仅能够在与像素电极之间形成充分的电容，而且与由金属膜那样的遮光膜构成电容配线的情况相比，不易产生电容配线导致的遮光。由此，能够增加由透明电极膜构成的像素电极的透射光量。

(2)包括：像素电极，其配置在上述第2绝缘膜的上层侧并且由透明电极膜构成；和晶体管，其配置在上述像素电极的下层侧并且与上述像素电极连接而控制对上述像素电极的电位的供给，上述氧化物半导体膜以上述其它部分构成上述晶体管所具有的沟道部的方式设置。如果像这样构成，则像素电极由晶体管来控制电位的供给。因为晶体管的沟道部由氧化物半导体中的与低电阻部分离的其它部分构成，所以能够使晶体管恰当地动作。