[发明专利]密闭型二次电池的监视传感器、密闭型二次电池及密闭型二次电池的监视方法

权利要求书

1.一种密闭型二次电池的监视传感器，其特征在于，其是在经密闭的外装体的内部容纳有电极组的密闭型二次电池的监视传感器，

该密闭型二次电池的监视传感器具有：含有磁性填料且安装于所述外装体或所述电极组的高分子基质层、和检测与上述高分子基质层的变形相伴的磁变化的磁检测部，

所述磁性填料沿着所述高分子基质层的面内方向被磁化，

在使边缘对置排列的所述高分子基质层之间形成界面层，所述磁性填料的磁化方向在夹持该界面层的一侧与另一侧互为相反方向且从所述高分子基质层的厚度方向看为与所述界面层交叉的方向，

在通过所述界面层而向所述高分子基质层的厚度方向延伸的直线上配置有所述磁检测部。

2.一种密闭型二次电池的监视传感器，其特征在于，其是在经密闭的外装体的内部容纳有电极组的密闭型二次电池的监视传感器，

该密闭型二次电池的监视传感器具有：含有磁性填料且安装于所述外装体或所述电极组的高分子基质层、和检测与所述高分子基质层的变形相伴的磁变化的磁检测部，

所述磁性填料沿着所述高分子基质层的厚度方向被磁化，

在通过所述高分子基质层的边缘而向所述高分子基质层的厚度方向延伸的直线上配置有所述磁检测部。

3.一种密闭型二次电池的监视传感器，其特征在于，其是在经密闭的外装体的内部容纳有电极组的密闭型二次电池的监视传感器，

该密闭型二次电池的监视传感器具有：含有磁性填料且安装于所述外装体或所述电极组的高分子基质层、和检测与所述高分子基质层的变形相伴的磁变化的磁检测部，

所述磁性填料沿着所述高分子基质层的厚度方向被磁化，

在使边缘对置排列的所述高分子基质层之间设有间隙，所述磁性填料的磁化方向在夹持该间隙的一侧与另一侧互为相同，

在通过所述间隙而向所述高分子基质层的厚度方向延伸的直线上配置有所述磁检测部。

4.一种密闭型二次电池的监视传感器，其特征在于，其是在经密闭的外装体的内部容纳有电极组的密闭型二次电池的监视传感器，

该密闭型二次电池的监视传感器具有：含有磁性填料且安装于所述外装体或所述电极组的高分子基质层、和检测与所述高分子基质层的变形相伴的磁变化的磁检测部，

所述磁性填料沿着所述高分子基质层的厚度方向被磁化，

在使边缘对置排列的所述高分子基质层之间形成界面层，所述磁性填料的磁化方向在夹持该界面层的一侧与另一侧互为相反方向，

在通过所述界面层而向所述高分子基质层的厚度方向延伸的直线上配置有所述磁检测部。

5.一种密闭型二次电池，其安装有权利要求1～4中任一项所述的监视传感器。

6.一种密闭型二次电池的监视方法，其使用权利要求1～4中任一项所述的监视传感器，利用所述磁检测部检测与所述高分子基质层的变形相伴的磁变化，并基于该磁变化检测所述密闭型二次电池的变形。