[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的交流发电机和电力转换装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种进行整流的半导体装置以及使用了该半导体装置的交流发电机和电力转换装置。

背景技术

以往，在汽车中搭载有从动力进行发电的交流发电机。交流发电机为了将所获得的电力向电池充电，将所发生的交流电力整流成直流电力。作为该整流元件，一般使用了二极管。

在专利文献1中使用了二极管作为整流元件。将该二极管芯片的上表面的端子与引线电极连接，将二极管芯片的下表面的端子与基础电极连接。并且，公开了如下技术：将由基础电极构成的封装经由焊锡固定在交流发电机的电极板上，或者通过压入来固定在交流发电机的电极板上进行使用。

另外，近年来，作为所述交流发电机的整流元件，有时使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。在专利文献2和专利文献3中公开了使用了交流发电机所使用的MOSFET的整流元件的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-215552号公报

专利文献2：日本特开2003-33038号公报

专利文献3：日本特表2011-507468号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，如所述专利文献1那样，在使用二极管作为整流元件的技术中存在如下问题：在二极管存在因PN结而产生的内置电势(P半导体与N半导体的功函数之差)，在正向上也存在电压降，电压损失、功率损失较大。

另外，在所述专利文献2、3中，虽然使用MOSFET来避免了所述的内置电势的问题，但存在如下问题：MOSFET以方形(方形状)的封装搭载，与以往的使用了二极管的封装之间没有互换性。

另外，若使用方形的MOSFET的封装，则在将整流元件固定于交流发电机时，将整流元件嵌入被设置于交流发电机的孔而固定，因此存在如下问题：需要使MOSFET的封装(整流元件)的绕旋转轴方向的位置对准，难以将大量的整流元件简便地固定于交流发电机。尤其是在成为近年来的主流的通过压入进行固定的情况下存在如下问题，方形的封装需要严格地进行绕旋转轴方向的对位，难以固定。

存在如下问题：需要准备能够将方形的MOSFET的封装压入、固定的特别的交流发电机，开发、制造成本增大，并且有碍通用性。

即，两者的整流元件的形状不同，因此必须分别开发、制造对使用了二极管的整流元件进行使用的交流发电机和对使用了方形的MOSFET的封装的整流元件进行使用的交流发电机。另外，也无法使用通过压入将使用了二极管的整流元件固定于交流发电机的组装装置，必须准备并使用用于将方形的MOSFET的封装固定于交流发电机的别的装置。

本发明是鉴于所述问题而做成的，课题在于提供一种减少电压损失、功率损失，组装工序简便且低制造成本的进行整流的半导体装置、以及使用了该半导体装置的交流发电机和电力转换装置。

用于解决课题的手段

为了解决所述课题而达成本发明的目的，如以下那样构成。

即，本发明的半导体装置的特征在于，具备：第1外部电极，其在一个面具有圆形的外周部；MOSFET芯片，其具有漏极、源极以及栅极；控制电路芯片，其输入所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极的电压或者电流，将基于该电压或者电流控制所述MOSFET芯片的信号向所述MOSFET芯片的所述栅极供给；第2外部电极，其相对于所述MOSFET芯片配置于所述第1外部电极的相反侧，在所述第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子；以及绝缘基板，其使所述控制电路芯片与所述第1外部电极或所述第2外部电极电绝缘，所述第1外部电极、所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极以及所述第2外部电极以在所述中心轴方向上重叠的方式配置，所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极电连接，所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极电连接。

另外，其他手段在用于实施发明的方式中进行说明。

发明效果

根据本发明，能够提供一种可简便地组装且电压损失、功率损失较低的半导体装置、使用该半导体装置的交流发电机和电力转换装置。

附图说明

图1是在将引线端子朝上、将基础电极朝下时从上方观察本发明的第1实施方式的半导体装置的整流元件S1而得的俯视图。

图2是图1的I-I剖视图。

图3是图1的II-II剖视图。