[发明专利]含有铅-钨基氧化物的厚膜糊料以及其在半导体装置制造中的用途

权利要求书

1.一种厚膜糊料组合物，包含：

a)80-99.5wt％的选自下组的导电金属源，该组由以下各项组成：Ag、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、Al和Ni；

b)0.5至3wt％的无钒、无碲的铅-钨基氧化物；以及

c)有机介质；

其中所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物的总重量为100wt％，所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物分散在所述有机介质中，并且其中以上wt％是基于所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物的总重量，所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物包含55-88wt％的PbO、12-25wt％的WO₃和0-20wt％的一种或多种选自下组的附加氧化物，该组由以下各项组成：B₂O₃、Bi₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、Li₂O、K₂O、Rb₂O、Na₂O、Cs₂O和MoO₃，其中PbO、WO₃和该一种或多种附加氧化物的wt％是基于所述无钒无碲的铅-钨基氧化物的总重量。

2.如权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述一种或多种附加氧化物选自下组，该组由以下各项组成：0-5wt％B₂O₃、0-10wt％Bi₂O₃、0-15SiO₂、0-5wt％Al₂O₃、0-5wt％Li₂O、0-5wt％K₂O、0-5wt％Rb₂O、0-5wt％Na₂O、0-5wt％Cs₂O、以及0-10MoO₃，并且其中该氧化物wt％是基于所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物的总重量。

3.如权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述导电金属是Ag。

4.一种制备半导体装置的方法，包括：

(a)提供一种制品，该制品包括设置在半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜糊料组合物施用到该一个或多个绝缘膜上以形成层状结构，该厚膜糊料组合物包含：

(i)80-99.5wt％的选自下组的导电金属源，该组由以下各项组成：Ag、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、Al和Ni；

(ii)0.5至3wt％的无钒、无碲的铅-钨基氧化物；以及

(iii)有机介质；

其中所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物的总重量为100wt％，所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物分散在所述有机介质中，并且其中以上wt％是基于所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物的总重量，所述无钒、无碲的铅-钨基氧化物包含55-88wt％的PbO、12-25wt％的WO₃和0-20wt％的一种或多种选自下组的附加氧化物，该组由以下各项组成：B₂O₃、Bi₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、Li₂O、K₂O、Rb₂O、Na₂O、Cs₂O和MoO₃，其中PbO、WO₃和该一种或多种附加氧化物的wt％是基于所述无钒无碲的铅-钨基氧化物的总重量；并且

(c)烧制所述半导体基底、所述一个或多个绝缘膜和所述厚膜糊料，其中所述厚膜糊料的所述有机介质挥发，从而形成与所述一个或多个绝缘膜接触并与所述半导体基底电接触的电极。