[发明专利]制造用于脊髓硬膜外刺激的多电极阵列的方法

权利要求书

1.一种制造用于脊髓硬膜外刺激的电极阵列的方法，所述阵列包括设置在柔性聚合物衬底上的多个电极，所述方法包括：

在支撑表面上沉积聚合物层并固化所述聚合物层以形成固化的聚合物层；

粗糙化所述固化的聚合物层的表面；

使用气相沉积并剥离以沉积金属、金属合金和/或金属氧化物电极层并限定多个电极；

在所述电极上沉积第二聚合物层并固化所述聚合物层以形成第二固化的聚合物层；

在所述第二聚合物层上沉积二氧化硅薄膜并用等离子体蚀刻机使用反应离子蚀刻限定所述薄膜中的细部；

将正性光致抗蚀剂涂料涂布到暴露表面上；

使用显微光刻术生成电极接触图案；

使用氧等离子体工艺来限定所述电极阵列的形状以及暴露电极的接触金属层和连接器衬垫；

进行氧/CF4RIE以粗糙化所述电极的接触表面；并且

将所述电极阵列从所述支撑表面上分离。

2.如权利要求1所述的方法，其还包括将电校正器附接到所述阵列电极。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其还包括所有焊接部件的硅封装。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述聚合物包括选自由以下组成的组的聚合物：聚酰亚胺、聚对二甲苯、PVC、聚乙烯、PEEK、聚碳酸酯、Ultem PEI、聚砜、聚丙烯、聚硅氧烷和聚氨基甲酸酯。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚硅氧烷。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述聚合物是聚酰亚胺。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述聚合物层通过旋涂来沉积。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述电极包含位于第二铂层下面的第一钛层。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述支撑表面包括处理硅晶片。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述硅晶片具有沉积在其上的铬/铝层。

11.如权利要求10所述的方法，其中粘合促进剂沉积在所述铬/铝层上。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述固化的聚合物层的表面的所述粗糙化是通过使用氧-等离子体工艺进行的。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，当完成时，所述阵列的电极键合到所述聚合物上，使得所述电极可携带具有足以在体内或在生理盐水溶液中提供脊髓和/或脑的硬膜外刺激的电压、频率和电流的电刺激信号，而整个电极或电极的一部分不会从所述聚合物衬底上分离。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中当完成时，所述阵列配置为使得所述电极可携带具有足以在以下时间段内在体内或在生理盐水溶液中提供脊髓硬膜外刺激的电压、频率和电流的电刺激信号而整个电极或电极的一部分不会从所述聚合物衬底上分离：至少一周的时间段、或至少两周的时间段、或至少一个月的时间段、或至少两个月的时间段、或至少3个月的时间段、或至少6个月的时间段或至少1年的时间段。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中所述电极层包含一种或多种选自由以下组成的组的金属：铂、钛、铬、钨、金和/或其氧化物和/或合金。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述电极层包含铂和/或钛。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中所述电极包括两层，每层包含不同的金属。

18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中当完成时，所述电极的厚度或当存在多层时构成所述电极的每一层的厚度在以下范围内：约1nm、或约2nm或约5nm、或约10nm至约1000nm、或至约800nm、或至约600nm、或至约500nm、或至约400nm、或至约300nm、或至约200nm、或至约100nm。

19.如权利要求17-18所述的方法，其中当完成时，所述电极的第一层在约2nm至约20nm范围内，并且所述电极的第二层在约50nm至约250nm范围内。