[发明专利]用于沉积的监控系统与操作该系统的方法有效
申请号: | 201580068260.5 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN107210188B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 爱德华·W·布迪亚图;马耶德·A·福阿德;拉尔夫·霍夫曼;托马斯·诺瓦克;托德·伊根;梅迪·瓦泽-艾拉瓦尼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/033;H01L21/285;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沉积 监控 系统 操作 方法 | ||
1.一种用于监控与沉积控制系统的操作方法,包括:
在基板上沉积材料层;
在沉积期间,监控关于所述材料层的层厚度的改变的所述材料层的沉积;及
根据在沉积期间所述材料层的所述层厚度的所述改变,来调整沉积参数,
其中监控所述材料层的沉积包含:
产生瞄准所述材料层和参考光纤的光输出;
收集来自所述参考光纤的所述光输出和作为离开所述材料层的反射光的所述光输出;
测定所述反射光的光谱和来自所述参考光纤的所述光输出的光谱;及
将所述反射光的所述光谱正规化为来自所述参考光纤的所述光输出的光谱和所述反射光的所述光谱的波长平均值。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
侦测所述材料层中的错误;
根据所述材料层中的所述错误,来产生警告;及
根据所述警告,来摒弃所述基板与所述材料层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中测定所述反射光的所述光谱,以测定所述材料层的性质。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在沉积所述材料层之前,对于具有已知光谱反应的参考样本进行校准。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
提供卡盘,用于定位所述基板;
其中监控所述材料层的沉积包含:
测定所述基板和所述材料层相对于水平位置倾斜;及
使用所述卡盘中的机构调整所述基板和所述材料层的倾斜。
6.一种监控与沉积控制系统,包括:
沉积腔室,用于在基板上沉积材料层;
传感器阵列,用于在沉积期间监控关于所述材料层的层厚度的改变的所述材料层的沉积;及
处理单元,用于根据在沉积期间所述层厚度的所述改变,来调整沉积参数,
其中所述传感器阵列包含:
参考光纤;
光源,用于产生瞄准所述材料层和所述参考光纤的光输出;
光谱仪,用于:
收集来自所述参考光纤的所述光输出和作为离开所述材料层的反射光的所述光输出,
测定所述反射光的光谱和来自所述参考光纤的所述光输出的光谱;并且
其中所述处理单元用于将所述反射光的所述光谱正规化为来自所述参考光纤的所述光输出的光谱和所述反射光的所述光谱的波长平均值。
7.根据权利要求6所述的系统,其中:
所述传感器阵列用于侦测所述材料层中的错误;
所述处理单元用于根据所述材料层中的所述错误来产生警告;
所述沉积腔室用于根据所述警告来摒弃所述基板与所述材料层。
8.根据权利要求6所述的系统,其中测定所述反射光的所述光谱的所述光谱仪用于测定所述材料层的性质。
9.根据权利要求6所述的系统,进一步包含:
在所述沉积腔室内的卡盘,用于定位所述基板;及
在所述卡盘上的具有已知光谱反应的参考样本,用以在沉积所述材料层之前校准所述传感器阵列。
10.根据权利要求6所述的系统,进一步包括:
位于所述沉积腔室内的卡盘,用于定位所述基板;
倾斜补偿系统,具有倾斜传感器,用于测定所述基板和所述材料层相对于水平位置倾斜;及
其中所述倾斜补偿系统用于利用所述卡盘内的机构调整所述基板和所述材料层的倾斜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造