[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

像素部；以及

设置在所述像素部的外侧的监控电路，

其中，所述像素部包括第一发光元件，

所述监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路，

所述第二发光元件的阳极与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

所述第二发光元件的阴极与所述电阻器的一个电极及所述放大电路的第一输入端子电连接，

所述电阻器的另一个电极与第一电源线电连接，

所述放大电路的第二输入端子与第二电源线电连接，

所述放大电路的输出端子与所述晶体管的栅极电连接，

所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与第三电源线电连接，

所述晶体管包括形成在表面上的氧化物半导体膜，

所述电阻器包括形成在与所述氧化物半导体膜相同的表面上的氧化物导电膜，

并且，利用所述监控电路控制流过所述第一发光元件的电流的量。

2.一种电子装置，包括：

根据权利要求1所述的半导体装置；以及

操作键或电池。

3.一种半导体装置，包括：

像素部；以及

设置在所述像素部的外侧的监控电路，

其中，所述像素部包括选择晶体管、驱动晶体管以及第一发光元件，

所述选择晶体管具有控制信号线和所述驱动晶体管的栅极之间的导通状态的功能，

所述驱动晶体管具有控制流过所述第一发光元件的电流的量的功能，

所述监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路，

所述第二发光元件的阳极与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

所述第二发光元件的阴极与所述电阻器的一个电极及所述放大电路的第一输入端子电连接，

所述电阻器的另一个电极与第一电源线电连接，

所述放大电路的第二输入端子与第二电源线电连接，

所述放大电路的输出端子与所述晶体管的栅极电连接，

所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与第三电源线电连接，

所述晶体管包括形成在表面上的氧化物半导体膜，

所述电阻器包括形成在与所述氧化物半导体膜相同的表面上的氧化物导电膜，

并且，利用所述监控电路控制流过所述驱动晶体管及所述第一发光元件的电流的所述量。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述选择晶体管及所述驱动晶体管都包括所述氧化物半导体膜。

5.一种半导体装置，包括：

像素部；以及

设置在所述像素部的外侧的监控电路，

其中，所述像素部包括选择晶体管、驱动晶体管、第一晶体管以及第一发光元件，

所述选择晶体管具有控制信号线和所述驱动晶体管的栅极之间的导通状态的功能，

所述驱动晶体管及所述第一晶体管都具有控制流过所述第一发光元件的电流的量的功能，

所述监控电路包括第二发光元件、第二晶体管、电阻器以及放大电路，

所述第二发光元件的阳极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

所述第二发光元件的阴极与所述电阻器的一个电极及所述放大电路的第一输入端子电连接，

所述电阻器的另一个电极与第一电源线电连接，

所述放大电路的第二输入端子与第二电源线电连接，

所述放大电路的输出端子与所述第二晶体管的栅极电连接，

所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与第三电源线电连接，

所述第二晶体管包括形成在表面上的氧化物半导体膜，

所述电阻器包括形成在与所述氧化物半导体膜相同的表面上的氧化物导电膜，

并且，利用所述监控电路控制流过所述驱动晶体管及所述第一发光元件的所述电流的量。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述选择晶体管、所述驱动晶体管及所述第一晶体管都包括所述氧化物半导体膜。