[发明专利]含基于锡的P型氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种包括薄膜晶体管TFT的设备，所述TFT包括：源极电极；漏极电极；以及半导体沟道，其连接所述源极电极和所述漏极电极，所述半导体沟道包含三元或更高阶基于锡(基于Sn)的p型氧化物，其中所述三元或更高阶基于Sn的p型氧化物包括Sn(II)。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述三元或更高阶基于Sn的p型氧化物包括选自周期表的d区或p区的金属。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述三元或更高阶基于Sn的p型氧化物包括选自由以下各项组成的群组的一或多种金属：第3族金属、第4族金属、钨(W)，和铌(Nb)。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第3族金属包括硼(B)、铝(Al)，和镓(Ga)，且所述第4族金属包括铅(Pb)和硅(Si)。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述基于Sn的p型氧化物是Sn-M-O三元氧化物，其中Sn是Sn(II)且M是选自周期表的d区或p区的金属。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述Sn-M-O三元氧化物具有化学式Sn_xM_1-xO_z，其中x为至少0.2且z大于零。

7.根据权利要求6所述的设备，其中x在0.2与0.8之间。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述基于Sn的p型氧化物是Sn(II)_xB_1-xO_z，其中x在0.7与0.9之间且z大于零。

9.根据权利要求1所述的设备，其中基于Sn的p型氧化物选自由Sn(II)_xW_1-xO_z、Sn(II)_xTi_1-xO_z和Sn(II)_xNb_1-xO_z组成的群组，其中x在0.3与0.8之间且z大于零。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述基于Sn的p型氧化物是非晶的。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述基于Sn的p型氧化物在其价带最大值VBM中具有来自Sn 5s轨道的贡献。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述TFT是互补型金属氧化物半导体CMOS TFT装置的部分。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述TFT是底部栅极TFT。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述TFT是顶部栅极TFT。

15.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：显示器；处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；以及存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

16.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：驱动器电路，其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器；以及控制器，其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述驱动器电路包含所述TFT。

18.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：图像源模块，其经配置以将所述图像数据发送到所述处理器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。