[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及制备方法有效
申请号: | 201610032753.X | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN105702403B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 章晓峰;郝忠彬;洪群峰 | 申请(专利权)人: | 浙江东阳东磁稀土有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.一种烧结钕铁硼磁体,其特征是,由高Ce主相合金粉末和低熔点Nd-Cu辅相粉末均匀混合制备而成,所述高Ce主相合金粉末的质量百分比化学式为:(Cex,PrNd1-x-y,Hoy)aFe100-a-b-cTMbBc,其中TM为Co、Al、Cu、Ga、Nb和Zr中的一种或多种;x的范围为0.5~0.9,y的范围为0.1~0.3,a的范围30~32.5,b的范围0.3~2.5,c的范围0.9~1.2;所述低熔点Nd-Cu辅相粉末的质量百分比化学式为:NdmCun,其中m+n=1。
2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体,其特征是,所述低熔点Nd-Cu辅相粉末占烧结钕铁硼磁体的比例范围1~3wt%。
3.一种如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征是,具体包括如下步骤:
(1)高Ce主相合金粉末采用速凝、氢破和气流磨的工艺制备而成;
(2)低熔点Nd-Cu辅相粉末经熔炼铸锭、氢破、高能球磨制备而成;
(3)将高Ce主相合金粉末与低熔点Nd-Cu粉末按照比例混合均匀;
(4)粉末混合均匀后在磁场中成型进行低温烧结,烧结后的样品进行低温回火处理,低温回火处理温度范围在300~450℃,制得烧结钕铁硼磁体。
4.根据权利要求3所述的一种烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征是,在步骤(4)中,烧结温度范围在900℃~1020℃。
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