[发明专利]一种频率补偿的跨导放大器有效
申请号: | 201610040162.7 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105720927B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03F1/14 | 分类号: | H03F1/14 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频率 补偿 放大器 | ||
1.一种频率补偿的跨导放大器,其特征在于,包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级,PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载,恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源,PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管,NMOS管M6构成的跨导放大器第二级恒流源,电容CL构成的跨导放大器负载电容,增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导放大器频率补偿网络;其中,
所述NMOS管M1和M2的栅极连接输入信号Vin,所述NMOS管M1和M2的源极经恒流源Iss接地,所述NMOS管M1的漏极与增益级GAIN的一端、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述NMOS管M2的漏极与PMOS管M4的漏极和PMOS管M5的栅极连接;
所述PMOS管M3、M4和M5的源极与电源电压vdd连接,所述PMOS管M5的漏极、补偿电容Cc的一端、NMOS管M6的漏极和电容CL的一端相互连接形成一个连接节点,且该连接节点为所述跨导放大器的输出端Vout,所述电容CL的另一端接地,所述NMOS管M6的源极接地,栅极连接偏置电压Vb。
2.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN包括NMOS管M7、NMOS管M8、阻抗R1和阻抗R2;其中,所述NMOS管M7的栅极与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述NMOS管M7的漏极与NMOS管M8的栅极和阻抗R1的一端连接,所述NMOS管M7和M8的源极接地,所述NMOS管M8的漏极与补偿电阻Rc和阻抗R2的一端连接,所述阻抗R1和R2的另一端与电源电压vdd连接。
3.根据权利要求2所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述阻抗R1和R2为有源器件构成或无源器件构成。
4.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN包括PMOS管M9、NMOS管M10、阻抗R3和阻抗R4;其中,所述PMOS管M9的栅极与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述PMOS管M9的漏极与NMOS管M10的栅极和阻抗R3的一端连接,所述阻抗R3的另一端和NMOS管M10的源极接地,所述NMOS管M10的漏极与补偿电阻Rc和阻抗R4的一端连接,所述PMOS管M9的源极和阻抗R4的另一端与电源电压vdd连接。
5.根据权利要求4所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述阻抗R3和R4为有源器件构成或无源器件构成。
6.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN的增益大小为40dB~60dB。
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