[发明专利]一种频率补偿的跨导放大器有效

专利信息
申请号: 201610040162.7 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105720927B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H03F1/14 分类号: H03F1/14
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 代理人: 滑春生
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 频率 补偿 放大器
【权利要求书】:

1.一种频率补偿的跨导放大器,其特征在于,包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级,PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载,恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源,PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管,NMOS管M6构成的跨导放大器第二级恒流源,电容CL构成的跨导放大器负载电容,增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导放大器频率补偿网络;其中,

所述NMOS管M1和M2的栅极连接输入信号Vin,所述NMOS管M1和M2的源极经恒流源Iss接地,所述NMOS管M1的漏极与增益级GAIN的一端、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述NMOS管M2的漏极与PMOS管M4的漏极和PMOS管M5的栅极连接;

所述PMOS管M3、M4和M5的源极与电源电压vdd连接,所述PMOS管M5的漏极、补偿电容Cc的一端、NMOS管M6的漏极和电容CL的一端相互连接形成一个连接节点,且该连接节点为所述跨导放大器的输出端Vout,所述电容CL的另一端接地,所述NMOS管M6的源极接地,栅极连接偏置电压Vb。

2.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN包括NMOS管M7、NMOS管M8、阻抗R1和阻抗R2;其中,所述NMOS管M7的栅极与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述NMOS管M7的漏极与NMOS管M8的栅极和阻抗R1的一端连接,所述NMOS管M7和M8的源极接地,所述NMOS管M8的漏极与补偿电阻Rc和阻抗R2的一端连接,所述阻抗R1和R2的另一端与电源电压vdd连接。

3.根据权利要求2所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述阻抗R1和R2为有源器件构成或无源器件构成。

4.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN包括PMOS管M9、NMOS管M10、阻抗R3和阻抗R4;其中,所述PMOS管M9的栅极与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接,所述PMOS管M9的漏极与NMOS管M10的栅极和阻抗R3的一端连接,所述阻抗R3的另一端和NMOS管M10的源极接地,所述NMOS管M10的漏极与补偿电阻Rc和阻抗R4的一端连接,所述PMOS管M9的源极和阻抗R4的另一端与电源电压vdd连接。

5.根据权利要求4所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述阻抗R3和R4为有源器件构成或无源器件构成。

6.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器,其特征在于,所述增益级GAIN的增益大小为40dB~60dB。

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