[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一硬性基板；

提供一柔性基板，所述柔性基板设置于所述硬性基板上；

在所述柔性基板上形成第一绝缘层，其中在所述第一绝缘层上方预设指定位置；

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中所述类石墨烯结构的二维层状半导体材料具体为MoS₂，所述在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料的步骤具体包括：

在所述衬底基板上形成Mo图形，所述Mo图形的位置与所述指定位置相对应；

采用MoO₃和S材料在600℃至800℃的温度之间进行化学气相沉积，以在所述Mo图形上形成二维层状的MoS₂，单层所述二维层状MoS₂的厚度为0.65nm；

在所述衬底基板及所述柔性基板上作对应的标记，利用所述对应的标记作对准进行转印，以将所述二维层状半导体材料转印到所述指定位置上；

对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成半导体有源层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述二维层状MoS₂中同一层Mo原子形成的平面与所述柔性基板平行。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述提供一柔性基板的步骤之后，且在所述柔性基板上形成第一绝缘层的步骤之前，所述制作方法还包括：

在所述柔性基板上形成第一栅极，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一栅极并延伸到所述柔性基板上，且所述第一栅极的位置与所述指定位置相对应。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成所述半导体有源层的步骤之后，所述方法还包括：

通过掩膜工艺在所述第一绝缘层上进一步形成源电极及漏电极，其中，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置，并且，所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成所述半导体有源层的步骤之后，所述方法还包括：

通过掩膜工艺在所述第一绝缘层上进一步形成源电极及漏电极，所述源电极及漏电极通过所述半导体有源层间隔设置，并且，所述源电极及所述漏电极分别与所述半导体有源层接触；

在所述源电极、所述漏电极及所述半导体有源层上方设置第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上方形成第二栅极，其中所述第二栅极的位置与所述半导体有源层位置对应。

6.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

一硬性基板；

一柔性基板，所述柔性基板设置于所述硬性基板上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述柔性基板上；

半导体有源层，所述半导体有源层设置于所述第一绝缘层上方预设的指定位置上，且所述半导体有源层为类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中所述类石墨烯结构的二维层状半导体材料具体为MoS₂，其中，所述半导体有源层是通过在衬底基板及所述柔性基板上作对应的标记，利用所述对应的标记作对准进行转印以将所述二维层状半导体材料转印到所述指定位置上而形成的，所述MoS₂是通过在所述衬底基板上形成Mo图形，所述Mo图形的位置与所述指定位置相对应；再采用MoO₃和S材料在600℃至800℃的温度之间进行化学气相沉积形成的二维层状的MoS₂，其中，单层所述二维层状的MoS₂的厚度为0.65nm。