[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法有效

申请号：	201610051645.7	申请日：	2016-01-26
公开（公告）号：	CN105514121B	公开（公告）日：	2019-03-15
发明（设计）人：	梁博	申请（专利权）人：	武汉华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280	代理人：	何青瓦
地址：	430070 湖北省武汉市***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	层状半导体二维半导体有源层类石墨烯结构阵列基板转印机械性能材料通过衬底基板柔性基板抗挠性迁移率石墨烯基板制作
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【说明书】：

本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，通过在衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，并将该类石墨烯结构的二维层状半导体材料通过转印的方式转印到柔性基板指定的位置上以用作阵列基板的半导体有源层，因此本发明的TFT阵列基板的半导体有源层采用类石墨烯结构的二维层状半导体材料，使得阵列基板具有非常高的迁移率及机械性能，抗挠性优异，并且大大缩减了基板的厚度。

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，特别是涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。

背景技术

在现有平板显示技术之中，驱动所用TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)采用非晶硅(amorphous Silicon，简称a-Si)、低温多晶硅(low temperature poly-Silicon，简称LTPS)或者非晶IGZO作为半导体有源层。a-Si TFT的电子迁移率低于1cm²/V^-1s^-1，限制了显示面积和逻辑控制速度。LTPS虽然电子迁移率较高，但是漏电流大，会影响触摸精度和触控操作体验。非晶IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)的漏电流较小，但是对于水、氧和光很敏感，会影响使用寿命。更重要的是，当以上几种技术中的非晶和多晶半导体材料用于柔性显示基板时，经过多次弯曲与折叠，极容易出现龟裂，进而会导致显示屏幕出现斑点、黑线和亮线等。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，阵列基板具有高的迁移率及机械性能，抗挠性优异，并且减小基板的厚度。

本发明的一方面提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

提供一硬性基板；

提供一柔性基板，柔性基板设置于硬性基板上；

在柔性基板上形成第一绝缘层，其中在第一绝缘层上方预设指定位置；

提供一衬底基板；

在衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中类石墨烯结构的二维层状半导体材料具体为MoS₂，所述在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料的步骤具体包括：

在所述衬底基板上形成Mo图形，所述Mo图形的位置与所述指定位置相对应；

采用MoO₃和S材料在600℃至800℃的温度之间进行化学气相沉积，以在所述Mo图形上形成二维层状的MoS₂，单层所述二维层状MoS₂的厚度为0.65nm；

在所述衬底基板及所述柔性基板上作对应的标记，利用所述对应的标记作对准进行转印，以将二维层状半导体材料转印到指定位置上；

对二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成半导体有源层。