[发明专利]一种氮氟共掺杂氧化锌薄膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及化工，特别是一种氮氟共掺杂氧化锌薄膜的制备方法。

背景技术

氧化锌薄膜是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，具有优良的压电、气敏性能以及高的化学稳定性，因而在平面显示器、太阳能电池、LDs、LEDs以及其它光电子元器件中得到了广泛的应用。获得高质量稳定的p型薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前，国际上公认族元素中的N替代O位是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照和温度条件发生变化，稳定性不足。

目前制备掺杂ZnO薄膜的方法有许多种，主要有磁控溅射法、脉冲激光沉积法、化学气相沉积法、分子束外延法、喷雾热分解法及溶胶-凝胶法等，但由于种种原因，特别是由于现有方法中涉及到的工作气压、溅射功率、衬底温度和溅射角度等存在的问题，都会对沉积薄膜的结构和光电性质产生重要的影响，所制得的产品导电性能差，透射率低，满足不了实际对氧化锌薄膜的需要，因此氧化锌薄膜生产上的改进和创新是必需解决的技术问题。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明之目的就是提供一种氮氟共掺杂氧化锌薄膜的制备方法，可有效解决提高氧化锌薄膜的导电性和透射率的问题。

本发明解决的技术方案是，将锌靶和玻璃基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，待真空室的真空度≤5.0×10^-4Pa后，先通入溅射气体氩气，除去锌靶表面的杂物，然后通入氧气和氮氟气混合成的反应气体，在入射功率为100～600W、压强0.5～2Pa、玻璃衬底温度100～400℃下，溅射20～50min，得到氮氟掺杂氧化锌薄膜，在温度150～500℃下退火20～90min，得成品氮氟共掺杂氧化锌薄膜；

所述的氩气、氧气、氮氟混合气的通入量的体积比为(21～24)∶(12～15)∶(7～10)；

所述的氮氟混合气中氮气与氟气的体积比(90～99)∶(1～10)。

本发明方法简单，易操作，成本低，效果好，产品质量好，有效提高了氧化锌薄膜的导电性和透射率，增强了使用价值和商业价值，经济和社会效益显著。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明的具体实施方式作详细说明。

本发明在具体实施中可由以下实施例给出。

实施例1

本发明在具体实施中，由以下方法实现：将锌靶和玻璃基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，待真空室的真空度≤5.0×10^-4Pa后，先通入溅射气体氩气，除去锌靶表面的杂物，然后通入氧气和氮氟气混合成的反应气体，在入射功率为200～300W、压强0.8～1.2Pa、玻璃衬底温度220～280℃下，溅射32～38min，得到氮氟掺杂氧化锌薄膜，在温度250～350℃下退火30～80min，得成品氮氟共掺杂氧化锌薄膜；

所述的氩气、氧气、氮氟混合气的通入量的体积比为(22～23)∶(13～14)∶(8～9)；

所述的氮氟混合气中氮气与氟气的体积比(92～97)∶(3～8)。

实施例2

本发明在具体实施中，可由以下方法实现：将质量纯度为99.99%锌靶和清洗烘干后的玻璃基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，待真空室的真空度≤5.0×10^-4Pa后，先通入溅射气体氩气，除去锌靶表面的杂物，然后通入反应气体氧气和氮氟气混合气体，氩气、氧气、氮氟混合气的标准毫升/分钟通入量比例为21:12:7，氮氟混合气中氮气与氟气的体积比为90:10，溅射时系统压强为0.5Pa，衬底温度为100℃，入射功率为100W，溅射为20min，得到氮氟掺杂氧化锌薄，得到氮氟共掺杂氧化锌薄膜后在空气氛围中进行退火，退火温度为150℃，退火时间为20min。氮氟掺杂氧化锌薄的电阻率降为1×10^-4Ωcm，可见光透射率为84％。

实施例3