[发明专利]一种钝化接触N型晶体硅电池及制备方法和组件、系统

权利要求书

1.一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、对N型晶体硅基体的正表面进行掺杂处理，形成p+掺杂区域；

(2)、在N型晶体硅基体的背表面制备隧穿氧化层，在隧穿氧化层上制备含磷多晶硅层，然后进行退火处理；

(3)、在N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜并在背表面制备钝化膜，在N型晶体硅基体的背表面印刷金属浆料形成背面电极；在N型晶体硅基体的正表面使用掺铝银浆印刷分段副栅，然后进行烧结处理；在烧结后的N型晶体硅基体的分段副栅上印刷热敏导电层；然后在热敏导电层上铺设镀有热敏导电材料的金属丝，将铺设好镀有热敏导电材料的金属丝的N型晶体硅基体进行加热，使得镀有热敏导电材料的金属丝、热敏导电层、p+掺杂区域和分段副栅四者之间形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：所述热敏导电层是锡膏导电层，所述镀有热敏导电材料的金属丝为锡包铜丝、银包铜丝、锡包铝丝或锡包钢丝中的任一种；所述锡膏含有锡、锡铅合金、锡铋合金或锡铅银合金中的任一种。

3.根据权利要求1～2任一所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，对N型晶体硅基体的正表面进行掺杂处理的方法是：选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；N型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；然后将N型晶体硅基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散形成正表面的p+掺杂区域，硼源采用三溴化硼，扩散温度为900-1000℃，时间为60-180分钟，硼扩散后的方阻值为40-100Ω/sqr。

4.根据权利要求1～2任一所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，制备隧穿氧化层的方法是硝酸氧化法、高温热氧化法、干式臭氧氧化法或者湿式臭氧氧化法；所述硝酸氧化法采用质量浓度 为40～68％的硝酸溶液，反应时间为5-20min；所述湿式臭氧氧化法为在去离子水中通入臭氧，使得臭氧浓度达到20-50ppm，反应温度为30-50℃，时间为5-20min。

5.根据权利要求1～2任一所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，在隧穿氧化层上制备含磷多晶硅层的方法是将N型晶体硅基体放入LPCVD设备中，采用磷烷作为掺杂源，在隧穿氧化层上生长含磷多晶硅层；或者将N型晶体硅基体放入LPCVD设备中，首先在其背表面生长本征多晶硅层，然后使用离子注入设备，将磷离子注入该多晶硅层中得到含磷多晶硅层。

6.根据权利要求1～2任一所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，进行退火处理的方法是将N型晶体硅基体放入退火炉中进行高温退火，退火温度为800-950℃，含磷多晶硅层或者含磷非晶硅层经退火后形成n+掺杂多晶硅层。

7.根据权利要求1～2任一所述的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，背面电极的制备方法是：在N型晶体硅基体的背表面使用银浆印刷背面电极并进行烘干，烧结的峰值温度为850-950℃。

8.一种钝化接触N型晶体硅电池，其特征在于：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域、正表面钝化减反膜和正面电极，所述正面电极包括与所述p+掺杂区域欧姆接触的金属丝；所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的隧穿氧化层、n+掺杂多晶硅层、背表面钝化膜和背面电极；其中

所述正面电极包括分段副栅和设置在分段副栅上的热敏导电层，所述分段副栅与所述p+掺杂区域电连接；所述金属丝与所述热敏导电层电连接。

9.根据权利要求8所述的一种钝化接触N型晶体硅电池，其特征在于：所述n+掺杂多晶硅层的厚度大于100nm。

10.根据权利要求8所述的一种钝化接触N型晶体硅电池，其特征在于：所述 隧穿氧化层的厚度为0.5-5nm；所述隧穿氧化层是SiO₂层。

11.根据权利要求8所述的一种钝化接触N型晶体硅电池，其特征在于：所述分段副栅是银铝合金分段副栅；所述热敏导电层是锡膏导电层，所述金属丝是镀有热敏导电材料的金属丝。