[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供包括NMOS区域的衬底，所述衬底上形成有分立的鳍部，所述衬底上还形成有覆盖鳍部侧壁的隔离结构，且所述隔离结构顶部低于鳍部顶部；

在所述隔离结构上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；

在所述NMOS区域的鳍部顶部和侧壁上形成第一掩膜层；

刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层，暴露出NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部表面，且还刻蚀去除所述NMOS区域的部分厚度鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与所述第一掩膜层构成第一凹槽；

在形成所述第一凹槽之后，对所述NMOS区域鳍部上的第一掩膜层侧壁进行减薄处理，所述减薄处理适于增加所述第一凹槽的宽度尺寸；

形成填充满所述第一凹槽的原位掺杂外延层，所述原位掺杂外延层的掺杂离子为N型离子。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述减薄处理之前，所述第一掩膜层的厚度为60埃～120埃；在进行所述减薄处理之后，所述第一掩膜层的厚度为20埃～60埃。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述减薄处理采用的工艺为湿法刻蚀。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺进行所述减薄处理，所述减薄处理采用的刻蚀液体为磷酸溶液。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述减薄处理之前，还包括步骤：对所述第一凹槽暴露出的鳍部表面进行氧化处理，在所述第一凹槽暴露出的鳍部上形成氧化层。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述 减薄处理之后、形成所述原位掺杂外延层之前，对所述第一凹槽进行清洗处理，去除所述氧化层。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜层之前，还包括步骤：在所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部内形成N型源漏轻掺杂区。

9.如权利要求1或8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述原位掺杂外延层的材料为SiP或SiCP。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层之前，所述第一掩膜层还位于隔离结构上以及NMOS区域栅极结构上；在刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层的工艺过程中，还刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构顶部上以及部分隔离结构上的第一掩膜层。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括PMOS区域；还包括步骤：在所述PMOS区域的鳍部顶部和侧壁上形成第二掩膜层；刻蚀去除位于所述PMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第二掩膜层，暴露出PMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部表面，且还刻蚀去除PMOS区域的部分厚度的鳍部，刻蚀后的PMOS区域鳍部内形成第二凹槽；形成填充满所述第二凹槽的P型源漏掺杂区。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，先形成所述第二凹槽、后形成所述第一凹槽；形成所述第一掩膜层、第一凹槽、第二掩膜层和第二凹槽的工艺步骤包括：

在所述PMOS区域的鳍部顶部和侧壁上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层还位于所述NMOS区域的鳍部顶部和侧壁上；

刻蚀去除位于所述PMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第二掩膜层，形成所述第二凹槽；接着，形成所述P型源漏掺杂区；

在形成所述P型源漏掺杂区之后，在所述NMOS区域的第二掩膜层上形成第三掩膜层，其中，位于所述NMOS区域的第二掩膜层和第三掩膜层作为 所述第一掩膜层；

接着，形成所述第一凹槽以及进行所述减薄处理；形成填充满所述第一凹槽的原位掺杂外延层。