[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域用于形成不同类型的晶体管；

在所述基底上形成层间介质层；

在所述第一区域的层间介质层中形成露出基底的第一开口，在所述第二区域的层间介质层中形成露出基底的第二开口；

在所述第一开口底部和侧壁以及第二开口底部和侧壁上形成栅介质层；

在所述第二区域的栅介质层上形成第二功函数层；

形成位于所述第二功函数层上的预备层；

对所述第二功函数层进行表面处理，将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层，包括：对所述基底进行退火处理，使所述第二功函数层与所述预备层进行反应，将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层，形成所述阻挡层后，去除未反应的预备层；

在所述第一区域的栅介质层和第二区域的阻挡层上形成第一功函数层；

形成填充所述第一开口和第二开口的金属层；

所述第一开口内的栅介质层、第一功函数层和金属层用于构成第一栅极结构，所述第二开口内的栅介质层、第二功函数层、阻挡层、第一功函数层和金属层用于构成第二栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第二区域的栅介质层上形成第二功函数层的步骤包括：形成覆盖所述第一区域和第二区域栅介质层的第二功函数膜；

形成保形覆盖所述第二功函数膜表面的无定形硅膜；

在所述无定形硅膜上形成填充所述第一开口和第二开口的图形材料层；

以所述无定型硅膜作为停止层，刻蚀去除所述第一区域的图形材料层，形成图形层；

以所述图形层为刻蚀掩膜，去除位于所述第一区域的无定形硅膜和第二功函数膜，刻蚀后位于第二区域的第二功函数膜为第二功函数层，刻蚀后位于第二区域的剩余无定形硅膜为所述预备层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述无定形硅膜的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为至

5.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述退火处理为激光退火、尖峰退火或快速热退火工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火工艺；

所述尖峰退火工艺的工艺参数包括：退火温度为850℃至1050℃，压强为一个标准大气压。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述预备层为无定形硅层，去除未反应的预备层的步骤包括：通过湿法刻蚀工艺去除未反应的无定形硅层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用刻蚀溶液为氨水，氨水的体积浓度为5:1至20:1，工艺温度为20℃至60℃，工艺时间为100秒至500秒。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一区域为NMOS区域，所述第一功函数层的材料为N型功函数材料；所述第二区域为PMOS区域，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一功函数层的材料为TiAl、Mo、MoN、AlN或TiAlC；所述第二功函数层的材料为TiN、TaN、TaSiN、TaAlN或TiAlN。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二功函数层的材料为TiN；所述阻挡层的材料为TiSiN。