[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含：

第一上拉晶体管(PL1)、第二上拉晶体管(PL2)、第一下拉晶体管(PD1)、第二下拉晶体管(PD2)、第一存取晶体管(PG1)以及第二存取晶体管(PG2)位于一基底上；

多个鳍状结构位于该基底上，该些鳍状结构至少包含有至少一第一鳍状结构、至少一第二鳍状结构、至少一第三鳍状结构以及至少一第四鳍状结构；

J状栅极结构，该J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分，以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，其中该第一下拉晶体管(PD1)至少包含该J状栅极结构以及该至少一第一鳍状结构、该至少一第二鳍状结构和该至少一第四鳍状结构，其中该长边部分横跨于该至少一第一鳍状结构、该至少一第二鳍状结构、该至少一第三鳍状结构以及该至少一第四鳍状结构，而该短边部分则跨越该至少一第一鳍状结构；

第一存取栅极结构，位于该基底上，其中该第一存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分排列方向相同，且该第一存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分具有相同的一对称轴，该第一存取栅极结构横跨该至少一第四鳍状结构；以及

第一延伸接触结构(N1)，横跨于该至少一第一鳍状结构、该至少一第二鳍状结构、该至少一第三鳍状结构以及该至少一第四鳍状结构，其中该第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠。

2.如权利要求1所述的布局图案，其中该J状栅极结构的该短边部分，位于该桥接部分以及该第一存取栅极结构之间。

3.如权利要求1所述的布局图案，其中该J状栅极结构的该长边部分横跨于该至少一第三鳍状结构上，组成该第一上拉晶体管(PL1)的一栅极。

4.如权利要求3所述的布局图案，其中还包含一电压源Vcc，与该至少一第三鳍状结构电连接。

5.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一延伸接触结构为连续结构。

6.如权利要求1所述的布局图案，其中还包含至少一字符线，与该第一存取栅极结构电连接。

7.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一存取栅极结构与该J状栅极结构不互相接触。

8.如权利要求1所述的布局图案，其中该J状栅极结构的该长边部分与该短边部分沿着一第一方向排列，该桥接部分沿着一第二方向排列。

9.如权利要求1所述的布局图案，其中还包含至少一位线，与该至少一第二鳍状结构电连接。

10.如权利要求1所述的布局图案，其中还包含一电压源Vss，与该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构电连接。

11.如权利要求1所述的布局图案，其中该静态随机存取存储器的布局图案位于一特定范围内，该特定范围具有一边界，其中该桥接部分相邻于该边界。

12.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一延伸接触结构位于该J状栅极结构的该长边部分与该短边部分之间。

13.如权利要求1所述的布局图案，还包含一第二存取栅极结构，位于该基底上，其中该第二存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分排列方向相同。

14.如权利要求13所述的布局图案，其中该第二存取栅极结构与该J状栅极结构的该短边部分具有相同的一对称轴。

15.如权利要求14所述的布局图案，其中还包含第三存取晶体管(PG3)以及第四存取晶体管(PG4)位于该基底上。

16.如权利要求1所述的布局图案，其中该桥接部分为一单层的多晶硅层。

17.如权利要求1所述的布局图案，其中还包含接触结构，位于该桥接部分与该长边部分之间，以及另一接触结构位于该桥接部分与该短边部分之间，且该桥接部分为一金属层。