[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案

说明书

本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一第一上拉晶体管、一第二上拉晶体管、一第一下拉晶体管、一第二下拉晶体管、一第一存取晶体管以及一第二存取晶体管位于一基底上，多个鳍状结构位于基底上，至少包含有一至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构，至少一J状栅极结构，该至少一J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，以及至少一第一延伸接触结构，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该至少一第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠。

技术领域

本发明涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)，尤其是涉及一种具有增加良率和提升读取速度的静态随机存取存储器(SRAM)的布局图案。

背景技术

在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory,embedded SRAM)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。

然而随着制作工艺线宽与曝光间距的缩减，现今SRAM元件的制作难以利用现有的架构曝出所要的图案。因此如何改良现有SRAM元件的架构来提升曝光的品质即为现今一重要课题。

发明内容

本发明提供一种静态随机存取存储器(SRAM)的布局图案，至少包含一第一上拉晶体管(PL1)、一第二上拉晶体管(PL2)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二下拉晶体管(PD2)、一第一存取晶体管(PG1)以及一第二存取晶体管(PG2)位于一基底上，多个鳍状结构位于该基底上，该些鳍状结构至少包含有一至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构，至少一J状栅极结构，该至少一J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，以及至少一第一延伸接触结构(N1)，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该至少一第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠。

此外，上述第一下拉晶体管(PD1)至少包含该J状栅极结构以及该些多个鳍状结构，其中该长边部分横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，而该短边部分则跨越该至少一第一鳍状结构，以及还包含至少一第一存取栅极结构，位于该基底上，其中该至少一第一存取栅极结构与该至少一J状栅极结构的该短边部分排列方向相同，且该至少一第一存取栅极结构与该至少一J状栅极结构的该短边部分具有相同的一对称轴。

本发明的特征在于，J状栅极结构的长边部分与短边部分都同时跨越了同一鳍状结构，因此在有限的空间内，增加了栅极结构跨越的鳍状结构数量，进一步提升下拉晶体管的读取速度。除此之外，本实施例的另外一特征在于，从上视图来看，接触结构与桥接结构并不互相重叠，两者之间保有一间距。根据申请人实验发现，当桥接结构不与接触结构重叠时，可以降低寄生电容产生，进而达到增加制作工艺良率、提高SRAM稳定度与读取速度等功效。

附图说明

图1为本发明静态随机存取存储器中一组六晶体管静态随机存取存储器(six-transistor SRAM,6T-SRAM)存储单元的电路图；

图2为本发明较佳实施例的一静态随机存取存储器的布局图；