[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

衬底；

在所述衬底之上的第一金属层；和

在所述衬底上并覆盖所述第一金属层的电介质层，其中，所述电介质层具有延伸到所述第一金属层的开口，并且所述电介质层上具有硬掩模层；

通过湿法刻蚀去除所述电介质层上的硬掩模层，在湿法刻蚀过程中，所述电介质层与所述第一金属层之间形成与所述开口连通的底切；

在所述开口的底部选择性沉积第二金属层，所述第二金属层包括填充所述底切的部分；

沉积第三金属层以填充所述开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用下列中的一种或多种作为刻蚀液：双氧水、稀氢氟酸、硫酸、盐酸、氢氧化铵。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积第三金属层以填充所述开口之前，还包括：

在所述开口的表面上沉积阻挡层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在沉积第三金属层以填充所述开口之前，还包括：

在所述阻挡层上形成籽晶层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括TaN、Ta或由TaN和Ta组成的叠层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述第三金属层进行平坦化，以使得剩余的第三金属层的上表面与所述电介质层的上表面基本齐平。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层和所述第三金属层的材料包括铜；

所述第二金属层的材料包括钴。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口的宽度为30-100nm，所述开口的深度为100-300nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口为大马士革单镶嵌结构的开口或大马士革双镶嵌结构的开口。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括：依次位于所述开口两侧的电介质层上的碳氮化硅层、低k电介质层、四乙氧基硅烷层、八甲基环四硅氧烷层和氮化钛层。