[发明专利]一种RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法

权利要求书

1.一种RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，用材料工作站打开RDX的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键；

步骤2，建立(2×2×3)、(1×1×3)和(2×2×2)超胞模型，沿着(100)和(110)晶面切割(2×2×3)超胞模型，沿着(120)和(210)晶面切割(1×1×3)超胞模型，沿着(111)晶面切割(2×2×2)超胞模型，得到切割模型；

步骤3，建立正三十烷烃分子链，将构建好的4条正三十烷烃分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至正三十烷烃分子链的密度达到理论值；

步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，并用压缩后的正三十烷烃分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的复合体系模型；

步骤5，用Materials Studio确定RDX模型及其与石蜡复合模型的球心，在球心处移除6个分子，得到含不同孔径的RDX缺陷晶体及其复合体系的模型；

步骤6，对RDX缺陷晶体及其复合体系的模型退火，并对收集的轨迹进行分析。

2.根据权利要求1所述的RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，步骤1所述材料工作站采用软件Materials Studio，晶体信息文件是以X-ray衍射晶体数据为依据的RDX晶体的cif文件。

3.根据权利要求2所述的RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，步骤2所述的建立超胞模型，沿不同晶面切割各个超胞模型，得到切割模型，具体为：对于(2×2×3)RDX超晶胞，首先建立2a×2b×3c超胞模型，其中a、b、c为RDX晶体的晶胞参数，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface，其中cleave plane填入切割晶面，点击Cleave建立切割模型；其他超胞的建立及切割按照上述方法。

4.根据权利要求2所述的RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，步骤6所述对RDX缺陷晶体及其复合体系的模型退火，并对收集的轨迹进行分析，具体为：在MS的Forcite模块，对RDX缺陷晶体及其复合体系模型进行1ns的退火模拟，共收集100个轨迹，并对收集的轨迹数据进行分析。

5.根据权利要求3所述的RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，所述cleave plane中分别填入100、110、120、210、111，得到的5种切割模型都含有144个RDX分子数。

6.根据权利要求4所述的RDX与石蜡缺陷晶体复合体系的模拟方法，其特征在于，所述退火模拟的起始和终止温度分别为290k和10k，循环100次。