[发明专利]一种处理多晶硅生产中尾气的方法及系统

权利要求书

1.一种处理多晶硅生产中尾气的方法，所述多晶硅生产中尾气包括氮气、氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

对多晶硅生产中尾气进行吸附，吸附多晶硅生产中尾气中的二氯二氢硅、三氯氢硅、氯化氢，得到经过吸附后的多晶硅生产中尾气；

将被吸附的物质进行脱附，得到脱附出来的多晶硅生产中尾气；

使用含有液态的四氯化硅的淋洗液冷凝并淋洗所述脱附出来的多晶硅生产中尾气，得到经过淋洗的淋洗液和经过淋洗的多晶硅生产中尾气。

2.根据权利要求1所述的处理多晶硅生产中尾气的方法，其特征在于，所述吸附步骤还可以吸附多晶硅生产中尾气中含有硼、磷的杂质。

3.根据权利要求1或2所述的处理多晶硅生产中尾气的方法，其特征在于，所述吸附步骤使用吸附剂进行吸附，所述吸附剂为改性活性炭。

4.根据权利要求1所述的处理多晶硅生产中尾气的方法，其特征在于，所述吸附步骤的温度为0～70℃，所述脱附步骤的温度为100～180℃，所述淋洗步骤的温度为-40～0℃。

5.根据权利要求1所述的处理多晶硅生产中尾气的方法，其特征在于，所述将被吸附的物质进行脱附的步骤具体为：利用得到的经过吸附后的多晶硅生产中尾气对被吸附的物质进行脱附。

6.根据权利要求1所述的处理多晶硅生产中尾气的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

对进行吸附前的多晶硅生产中尾气进行增压到0.1～0.5Mpa。

7.一种处理多晶硅生产中尾气的系统，所述多晶硅生产中尾气包括氮气、氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢，其特征在于，所述系统包括：

吸附装置，该吸附装置用于对多晶硅生产中尾气进行吸附，吸附多晶硅生产中尾气中的二氯二氢硅、三氯氢硅、氯化氢，得到经过吸附后的多晶硅生产中尾气；所述吸附装置还用于将被吸附的物质进行脱附，得到脱附出来的多晶硅生产中尾气；

淋洗装置，与所述吸附装置连接，所述淋洗装置用于使用含有液态的四氯化硅的淋洗液冷凝并淋洗所述脱附出来的多晶硅生产中尾气，得到经过淋洗的淋洗液和经过淋洗的多晶硅生产中尾气。

8.根据权利要求7所述的处理多晶硅生产中尾气的系统，其特征在于，所述吸附装置包括第一吸附机构、第二吸附机构，所述第一吸附机构与所述第二吸附机构交替对多晶硅生产中尾气进行吸附、脱附，得到所述经过吸附后的多晶硅生产中尾气、所述脱附出来的多晶硅生产中尾气。

9.根据权利要求8所述的处理多晶硅生产中尾气的系统，其特征在于，所述第一吸附机构与所述第二吸附机构连接，当所述第一吸附机构对多晶硅生产中尾气进行吸附时，可使用经过所述第一吸附机构吸附后得到的全部或部分多晶硅生产中尾气对所述第二吸附机构进行脱附；

当所述第二吸附机构对多晶硅生产中尾气进行吸附时，可使用经过所述第二吸附机构吸附后得到的全部或部分多晶硅生产中尾气对所述第一吸附机构进行脱附。