[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基底；

栅极结构，形成在该半导体基底上；

外延结构，作为一对应该栅极结构的源极区或漏极区，该外延结构部分形成于该半导体基底中，该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸，该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸；以及

层间介电层，位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间，

其中该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层，该外延结构包括一圆转角，其中该外延结构的该垂直延伸部以及该外延结构的该侧向延伸部于该圆转角接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构包括：

栅极介电层，形成于该半导体基底上；

栅极电极，形成于该栅极介电层上；以及

间隙壁，形成于该栅极介电层以及该栅极电极的侧表面上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该外延结构的该侧向延伸部的该上表面还直接接触该栅极结构的该间隙壁。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该外延结构的该侧向延伸部的一侧向端包括一近乎垂直的侧表面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体基底包括硅基底。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该外延结构包括硅锗(SiGe)外延层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该硅锗外延层包括缓冲硅锗层以及主硅锗层，该主硅锗层形成于该缓冲硅锗层上，且该主硅锗层的锗浓度高于该缓冲硅锗层的锗浓度。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该主硅锗层含有约45％的锗。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中该外延结构还包括硅盖层，形成于该硅锗外延层上。

10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

金属接触，穿过该层间介电层并接触该外延结构。

11.一种部分形成于一半导体基底中的外延结构，包括：

垂直延伸部，在该半导体基底的一上表面上方垂直延伸；以及

侧向延伸部，在该半导体基底的该上表面下方的一区域并朝远离该垂直延伸部垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸，

其中该垂直延伸部以及该侧向延伸部于一圆转角接合。

12.如权利要求11所述的外延结构，其中该侧向延伸部的一侧向端包括一近乎垂直的侧表面。

13.如权利要求11所述的外延结构，还包括：

栅极结构，其中该侧向延伸部的该侧向端位于该栅极结构下方。

14.如权利要求13所述的外延结构，其中该栅极结构包括：

栅极介电层，形成于该半导体基底上；

栅极电极，形成于该栅极介电层上；以及

间隙壁，形成于该栅极介电层以及该栅极电极的侧表面上，

其中该侧向延伸部的该侧向端位于该间隙壁下方。