[发明专利]在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201610631795.5 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106067492B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市企*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜图形 制备 氮化镓单晶 圆型孔 衬底 氮化镓基发光二极管 氮化镓发光二极管 图形化 侧向外延生长 氮化镓外延层 周期性结构 衬底清洗 垂直生长 二次生长 散热性好 图形周期 外延层 放入 沉积 接续 生长 | ||
【说明书】：
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