[发明专利]一种电场诱导聚合物基功能梯度复合微米柱的制造方法有效
申请号: | 201610858459.4 | 申请日: | 2016-09-28 |
公开(公告)号: | CN106430079B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 蒋维涛;刘红忠;雷彪;陈邦道;史永胜;尹磊 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电场 诱导 聚合物 功能 梯度 复合 微米 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能梯度材料技术领域,特别涉及一种电场诱导聚合物基功能梯度复合微米柱的制造方法。
背景技术
功能梯度材料是一种具有独特性能的新材料,所谓功能梯度材料,是在材料的制备过程中,选择两种或两种以上性质不同的材料,通过连续地控制材料的微观要素(包括组成和结构),使其沿某一方向由一侧向另一侧呈连续性变化或非连续性变化,从而使材料的性质和功能也呈梯度变化的新型材料。
目前,功能梯度材料的制备方法主要有组分用量调控法、粉末冶金法、自蔓延高温合成法、等离子喷涂法、激光融覆法、电沉积法、气相沉积法、离心铸造法、熔渗法、3D打印法等。除了上述复合技术外,还有仿生技术、凝胶浇注技术、微波合成与烧结技术、自组装技术和超分子复合技术。但这些方法不同程度的存在一些不足之处。比如粉末冶金法工序比较复杂,制得的梯度材料有一定的孔隙,只适合烧结类型的材料;自蔓延高温合成法较难控制,材料致密度低,孔隙率较大,机械强度较低;等离子喷涂法存在电弧干扰及涂层不太均匀问题;激光融覆法激光温度过高,涂层表面有时会出现裂纹或孔洞;气相沉积法沉积速度低,且不能连续控制成分分布等问题。工艺复杂或者不稳定以及所需设备复杂昂贵是制约这些方法广泛应用的关键所在。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种电场诱导聚合物基功能梯度复合微米柱的制造方法,具有制备工艺简单、成分连续变化且可控的优点。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种电场诱导聚合物基功能梯度复合微米柱的制造方法,包括以下步骤:
1)制备具有微电极阵列的A极板和B极板,通过溅射、光刻、剥离工艺获得A极板和B极板:A极板包括A基底、A导电层、过渡层和A微电极,其中A导电层厚度100~1000nm,过渡层厚度50~500nm,A微电极厚度T1=100~1000nm,过渡层和A微电极直径D1=5~600μm,间距L1=5~1000μm,中心距K1=10~2000μm;B极板包括B基底、B导电层和B微电极,其中B导电层厚度100~1000nm,B微电极厚度T2=100~1000nm,B微电极直径D2=5~600μm,间距L2=5~1000μm,中心距K2=10~2000μm;
2)制备聚合物和粒子的复合材料薄膜,按照聚合物和粒子重量比50:1~5:1配制复合材料溶液,通过真空处理去除复合材料溶液中的气泡,然后设置转速为200~3000转/分旋涂在衬底表面获得复合材料薄膜;
3)转移复合材料薄膜到B微电极表面,先把B极板翻转使得B微电极表面与复合材料薄膜相向而对,然后降落B极板至B微电极表面与复合材料薄膜接触上;保持10~30秒,提升B极板使B微电极与衬底表面的复合材料薄膜完全脱离,B微电极表面会粘附复合材料液滴状溶液,实现复合材料薄膜转移到B微电极表面;
4)制备具有粒子功能梯度的复合材料微米柱阵列,通过对准系统使A极板的A微电极与B极板的B微电极一一对应且中心点重合,降落A极板使A微电极与B极板的B微电极表面粘附的复合材料液滴状溶液接触,继续下降使得复合材料液滴状溶液完全覆盖A微电极表面;然后在50~75℃预加热处理5~100秒;提升A极板,A微电极与B微电极之间的复合材料被拉伸为复合材料微米柱;接通A导电层和B导电层,直流电压100~1000伏,施加电场驱动复合材料中的粒子迁移,使粒子连续地梯度分布;在85~160℃加热60~300秒使复合材料固化,得到具有粒子功能梯度的复合材料微米柱阵列;
5)分离A极板得到两端带有A微电极和B微电极的聚合物基功能梯度复合微米柱阵列:将A极板、B极板和具有粒子功能梯度的复合材料微米柱阵列一起浸没在装有腐蚀液的液槽中,腐蚀液湿法腐蚀过渡层实现A极板的脱离;然后清洗吹干得到两端带有A微电极和B微电极的高度为H的聚合物基功能梯度复合微米柱阵列。
所述的步骤1)中的A导电层和B导电层为单层金薄膜、单层铜薄膜、单层铂薄膜、单层ITO薄膜或金、铜、铂、ITO任意组合的多层薄膜。
所述的步骤1)中的过渡层为铝或导电胶带。
所述的步骤1)中K1=K2;
所述的步骤2)中聚合物为PDMS(聚二甲基硅氧烷)、SU-8光刻胶或PU(聚氨酯)。
所述的步骤2)中粒子为铁、铜、镍金属粒子,或氧化铁、氧化铝金属氧化物粒子,或石墨烯、碳纳米管、陶瓷粒子。
所述的步骤2)聚合物的介电常数与粒子的介电常数比值大于1.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610858459.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。