[发明专利]振荡电路有效

专利信息
申请号: 201610868650.7 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN106933296B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 高田幸辅 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;刘春元
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 振荡 电路
【权利要求书】:

1.一种振荡电路,其特征在于,具备:

电流源电路,基于在电源端子与电流输入端子之间的第1电流路径流过的第1电流生成第2电流;以及

电流控制振荡器,基于所述第2电流进行振荡,

所述电流源电路,具有:

第1PMOS晶体管,设在所述第1电流路径,栅极和漏极连接;

第2PMOS晶体管,与所述第1PMOS晶体管构成电流反射镜,流过所述第2电流;

第3PMOS晶体管,与所述第1PMOS晶体管构成电流反射镜;

恒流源,与所述第3PMOS晶体管的漏极连接;以及

第4PMOS晶体管,栅极被所述第3PMOS晶体管的漏极的电压控制,该第4PMOS晶体管限制所述第1电流的电流值。

2.如权利要求1所述的振荡电路,其特征在于,

所述第4PMOS晶体管设在所述第1电流路径,限制所述第1电流的最大电流值。

3.如权利要求1所述的振荡电路,其特征在于,

所述第4PMOS晶体管设在所述电流输入端子与接地端子之间的第2电流路径,限制所述第1电流的最小电流值。

4.如权利要求2所述的振荡电路,其特征在于,还具备:

第5PMOS晶体管,与所述第1PMOS晶体管构成电流反射镜;

恒流源,与所述第5PMOS晶体管的漏极连接;以及

第6晶体管,设在所述电流输入端子与接地端子之间的第2电流路径,

所述第6晶体管限制所述第1电流的最小电流值。

5.如权利要求1至4的任一项所述的振荡电路,其特征在于,还具备:

V/I转换电路,基于既定电压输出既定电流,

V/I转换电路的输出与所述电流输入端子连接。

6.如权利要求1至4的任一项所述的振荡电路,其特征在于,还具备:

相位频率比较电路,接受时钟信号和所述电流控制振荡器的输出;

电荷泵电路,接受所述相位频率比较电路的输出;

电容器,与所述电荷泵电路的输出连接;

NMOS晶体管,漏极与所述电流输入端子连接,栅极接受所述电荷泵电路的输出;以及

电阻,与所述NMOS晶体管的源极连接。

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