[发明专利]振荡电路

说明书

课题在于提供即使在V/I转换电路中产生任何异常也能限制频率的最大值、最小值的振荡电路。解决方案在于具备：电流控制振荡器，基于输入电流进行振荡；以及电流限制电路，将输入电流与第1恒流和第2恒流的每一个进行比较，若输入电流达到第1恒流，则通过输入电流的路径上所具备的晶体管来限制输入电流的最大电流值，若输入电流下降到第2恒流，则通过与输入电流的路径并联地具备的晶体管，向输入电流的路径加入电流而限制输入电流的最小电流。

技术领域

本发明关于振荡电路，更详细而言，关于与由电流控制振荡频率的振荡电路的异常控制电流对应的技术。

背景技术

图4中示出现有的振荡电路400的电路图。

现有的振荡电路400具备：电源端子101；接地端子102；V/I转换电路103；PMOS晶体管115及118；以及电流控制振荡器104。

V/I转换电路103具备：第1基准电压源111；误差放大器112；NMOS晶体管114；以及电阻113。

图5中示出电流控制振荡器104的电路图。

电流控制振荡器104具备：电容器141；第2基准电压源143；比较器142；以及NMOS晶体管144。

参照图4及图5，对现有的振荡电路400的连接进行说明。误差放大器112的非反相输入端子与第1基准电压源111的一端连接。第1基准电压源111的另一端与接地端子102连接。NMOS晶体管114的栅极与误差放大器112的输出连接，源极与误差放大器112的反相输入端子和电阻113的一端连接。电阻113的另一端与接地端子102连接。PMOS晶体管115的源极与电源端子101连接，栅极和漏极与NMOS晶体管114的漏极连接。PMOS晶体管118的源极与电源端子101连接，栅极与PMOS晶体管115的栅极连接，漏极与电流控制振荡器104内部的电容器141的一端和NMOS晶体管144的漏极和比较器142的非反相输入端子连接。比较器142的反相输入端子与第2基准电压源143的一端连接。第2基准电压143的另一端与接地端子102连接。NMOS晶体管144的栅极与比较器142的输出连接，源极与接地端子102连接。电容器141的另一端与接地端子102连接。

对现有的振荡电路400的动作进行说明。

V/I转换电路103利用包含误差放大器112的负反馈环，以第1基准电压源111的电压VREF与NMOS晶体管114的源极电压成为相等的方式进行动作。作为结果，对电阻113施加与电压VREF相等的电压，NMOS晶体管114的漏极电流I1成为恒流。PMOS晶体管115和118构成电流反射镜，向电流控制振荡器104供给与电流I1成比例的电流I2。

图6中示出用于说明电流控制振荡器104的动作的波形图。电流控制振荡器104将电流I2作为电容器141的充电电流，在电容器141的一端生成倾斜状的电压VRAMP。若电压VRAMP达到第2基准电压源143的电压VPK，则比较器142的输出CMPOUT变为高（High），NMOS晶体管144导通而释放电容器141的电荷。比较器142存在检测延迟，因此输出CMPOUT以某一延迟时间变为低（Low），NMOS晶体管144截止而电容器141再次充电。通过重复上述动作，电压VRAMP成为具有既定振幅及既定频率的锯齿波，继续振荡动作。

在专利文献1中示出了在这样的现有的振荡电路中，以能将振荡频率的上限值及下限值控制在期望的值的方式构成误差放大器112的情况。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2001－44808号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】