[发明专利]湿膜处理装置、系统和方法有效
申请号: | 201610891163.2 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN106654056B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 王兵;杜勇 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00 |
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地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 系统 方法 | ||
本发明提供了一种湿膜处理装置、系统和方法,该湿膜处理装置包括一密封腔体,该密封腔体包括底部和气体接入口,底部设置有至少一个通孔,用于将通入该气体接入口的气体从密封腔体内排出至待处理湿膜表面;该湿膜处理装置还包括一超声发生器,该超声发生器固定地设置于密封腔体内,该超声发生器发出的超声振动经由密封腔体和上述气体传递至待处理湿膜。该湿膜处理装置解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题,实现了提高湿膜干燥成膜后膜层的均匀性和提高发光器件的发光质量的效果。
技术领域
本发明涉及光学技术领域,具体而言,涉及一种湿膜处理装置、系统和方法。
背景技术
QLED(量子点发光二极管)器件一般包括多层结构,如阴极、电子注入层、电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、以及其他一些功能层,各个膜层都比较薄,其制作是整个QLED器件制作的关键步骤,均匀平整的膜层的制备(尤其是量子点膜层的制备)是QLED器件具有良好发光性能的保障,但实际在喷墨打印制备的各个膜层的过程中,常会出现墨滴在被打印到基板上后分布不均匀的现象,以打印量子点墨水为例,湿膜干燥成膜后量子点层表面常会出现褶皱、或者出现中间厚边缘薄的现象,并且由于量子点墨水中的溶剂挥发速度很快,使得量子点墨水在像素坑中还没完全铺展开时,就已经干燥定形,这无疑更加剧了量子点墨水的不均匀程度,同样的问题也出现于其他膜层的制备中,这些都严重影响了最终QLED器件的发光质量。因此,通过喷墨打印得到的湿膜不均匀问题亟待解决。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种湿膜处理装置、系统和方法,以解决现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种湿膜处理装置,该湿膜处理装置包括:一密封腔体,所述密封腔体包括底部和气体接入口,所述底部设置有至少一个通孔,用于将通入所述气体接入口的气体从所述密封腔体内排出至待处理湿膜表面;一超声发生器,所述超声发生器固定地设置于所述密封腔体内,所述超声发生器发出的超声振动经由所述密封腔体和所述气体传递至所述待处理湿膜。
进一步地,所述通孔中的至少一个还用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。
进一步地,所述湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口,用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。
进一步地,所述第一抽气口设置于所述湿膜处理装置的底部。
进一步地,所述底部为平面结构,所述第一抽气口位于所述底部的第一区域,所述通孔位于所述底部的第二区域,所述第一区域环绕在所述第二区域的外侧。
进一步地,所述超声发生器对应设置于所述底部的通孔的上方。
进一步地,所述通孔包括多个,优选所述通孔在所述底部成蜂窝结构排列。
进一步地,所述湿膜处理装置还包括:离子发生器,设置于所述密封腔体内或与进气管道连接,用于使流经所述密封腔体的所述气体携带正和/或负电荷,其中,所述进气管道与所述气体接入口连接。
进一步地,所述湿膜处理装置还包括:溶剂储液装置,设置于所述密封腔体内或与进气管道连接,用于为所述待处理湿膜提供气态溶剂,其中,所述进气管道与所述气体接入口连接。
为了实现上述目的,根据本发明的另一个方面,提供了一种湿膜处理系统,该湿膜处理系统包括:载物平台,所述载物平台的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板;上述的湿膜处理装置,设置于所述载物平台上的所述待处理湿膜上方位置。
进一步地,所述湿膜处理系统为在密封[除了王兵提的都设置在密封腔体内之外,没有更好地想法,如果要加这个密封腔体的话,可如下,我认为是公知的,没有必要:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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