[发明专利]掺杂剂注入层、其形成方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610918280.3 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039532B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 今村哲也;富泽由香;池田吉纪 | 申请（专利权）人： | 帝人株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/268;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李炳爱 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 注入 形成 方法 半导体 装置 制造 | ||
【权利要求书】：
1.掺杂剂注入层，该掺杂剂注入层具有：
掺杂剂化合物含有层，该掺杂剂化合物含有层含有具有掺杂剂元素的掺杂剂化合物；以及
光吸收粒子含有层，该光吸收粒子含有层含有由在100-1000nm的范围内具有峰吸收波长的材料构成的光吸收粒子；
在所述掺杂剂化合物含有层上层合有所述光吸收粒子含有层，
所述掺杂剂注入层层合在半导体基材上，并且
所述光吸收粒子由与所述半导体基材相同的元素构成，且
所述光吸收粒子含有层还含有具有掺杂剂元素的掺杂剂化合物。
2.权利要求1所述的掺杂剂注入层，其中，所述掺杂剂化合物含有层还含有由在100-1000nm的范围内具有峰吸收波长的材料构成的光吸收粒子。
3.掺杂层的形成方法，该形成方法包含：对权利要求1或2所述的所述掺杂剂注入层照射光，使所述掺杂剂元素扩散到所述半导体基材中。
4.权利要求3所述的方法，其中，所述光吸收粒子在所照射的所述光的主波长具有所述峰吸收波长处吸光率的0.1倍以上的吸光率。
5.权利要求3或4所述的方法，其中，所照射的所述光为激光。
6.半导体装置的制造方法，该制造方法包含通过权利要求3-5中任一项所述的方法形成掺杂层。
7.权利要求6所述的方法，其中，所述半导体装置为太阳能电池。
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