[发明专利]一种封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片，其特征在于：所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片底面通过粘结层粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于：所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于：所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。

11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述散热基板包括热管散热结构或微流体散热结构。

12.一种封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一散热基板；

S2：在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜；

S3：将芯片固定到所述石墨烯导电散热薄膜表面。

13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述散热基板采用可作为石墨烯生长催化剂的材质。

14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于：所述材质包括镍、铂、铷、铱、铜中的任意一种或其中任意两种或两种以上组成的合金。

15.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S2中，通过化学气相沉积法在所述散热基板上生长得到所述石墨烯导电散热薄膜。

16.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S1中，还包括采用丙酮、乙醇、去离子水中的一种或多种对所述散热基板进行超声清洗以去除所述散热基板表面污染物的步骤。

17.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S1中，还包括去除所述散热基板表面氧化物的步骤。

18.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述散热基板为铝基板、陶瓷基板、硅基板或带有硅通孔的FR4基板。

19.根据权利要求18所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S2中，通过转移法在所述散热基板上表面形成石墨烯导电散热薄膜。

20.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：于所述步骤S3中，通过粘结层将所述芯片底面粘附于所述石墨烯导电散热薄膜表面。

21.根据权利要求20所述的封装方法，其特征在于：所述粘结层包括导电胶、绝缘胶或共晶材料。

22.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜在所述散热基板上表面的覆盖面积大于所述芯片底面的面积。

23.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述石墨烯导电散热薄膜包括单层石墨烯或多层石墨烯。

24.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于：所述芯片为垂直结构型芯片或平面结构型芯片，所述垂直结构型芯片的正电极与负电极分别位于芯片的上下两侧，所述平面结构型芯片的正电极与负电极位于芯片的同一侧。

25.根据权利要求24所述的封装方法，其特征在于：所述芯片为垂直结构型的混合PiN肖特基二极管，所述混合PiN肖特基二极管的底部电极与所述石墨烯导电散热薄膜电连接。