[发明专利]具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法

权利要求书

1.一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，包含：

一装置晶片，该装置晶片的主体具有一第一表面与一第二表面，其中一金属互连平行垫组合嵌埋于该装置晶片之中，至少一偏移垫设置于该第一表面并连接至该金属互连平行垫组合，一组件设置区形成于该第一表面；

一载体晶片，该载体晶片的主体具有一第三表面与一第四表面，该装置晶片的该第二表面贴合于该载体晶片的该第三表面；

至少一间隔导体凸块，接合于该偏移垫上而突出于该第一表面；

一间隔黏合层，形成于该装置晶片的该第一表面上，该间隔黏合层包覆该间隔导体凸块；

一保护盖片，压贴于该间隔黏合层上；

至少一硅穿孔结构，包含一贯穿孔以及一孔金属层，该贯穿孔对着该偏移垫由该第四表面连续贯穿该载体晶片与该装置晶片，该孔金属层形成于该贯穿孔内并连接该偏移垫，该贯穿孔非中心对准于该间隔导体凸块；

一保护层，形成于该第四表面上并覆盖该贯穿孔；以及

多个外接端子，设置于该载体晶片而突出于该第四表面上。

2.如权利要求1所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，该保护层更封闭该硅穿孔结构的一开口而不填入该贯穿孔，以使该硅穿孔结构内具有与外部阻绝的空气。

3.如权利要求1所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，该载体晶片的该第三表面与该装置晶片的该第二表面之间形成有一熔合结合层，并且该贯穿孔连续式贯穿该熔合结合层。

4.如权利要求3所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，在该孔金属层形成之前，在该贯穿孔内形成一介电内衬，以避免该孔金属层漏电流。

5.如权利要求1所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，该间隔导体凸块包含一电镀金属块。

6.如权利要求1所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，该间隔导体凸块包含一打线形成的结线凸块。

7.如权利要求1所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，该孔金属层更一体延伸为一形成于该第四表面的重配置线路，至少一个外接端子接合于该重配置线路，该多个外接端子包含多个焊球。

8.如权利要求1至7任一项所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，一导体栓连接在该偏移垫与该金属互连平行垫组合之间，该间隔导体凸块的表面覆盖面积涵盖该导体栓的形成位置。

9.一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造的制造方法，其特征在于，包含：

提供一装置晶片与一载体晶片，该装置晶片的主体具有一第一表面与一第二表面，一金属互连平行垫组合嵌埋于该装置晶片之中，该载体晶片的主体具有一第三表面与一第四表面；

结合该装置晶片与该载体晶片，使得该装置晶片的该第二表面贴合于该载体晶片的该第三表面；

设置至少一偏移垫于该第一表面，并且该偏移垫连接至该金属互连平行垫组合；

形成一组件设置区于该第一表面；

接合至少一间隔导体凸块于该偏移垫上而突出于该第一表面；

形成一间隔黏合层于该装置晶片的该第一表面上，该间隔黏合层包覆该间隔导体凸块；

压贴一保护盖片于该间隔黏合层上；

制作至少一硅穿孔结构，该硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，该贯穿孔对着该偏移垫由该第四表面连续贯穿该载体晶片与该装置晶片，该孔金属层形成于该贯穿孔内并连接该偏移垫，该贯穿孔非中心对准于该间隔导体凸块；

形成一保护层于该第四表面上并覆盖该贯穿孔；以及

设置多个外接端子于该载体晶片而突出于该第四表面上。

10.如权利要求9所述的具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造的制造方法，其特征在于，另包含一第一晶圆薄化步骤与一第二晶圆薄化步骤，其中该第一晶圆薄化步骤实施在上述结合该装置晶片与该载体晶片的步骤之后与在上述设置该偏移垫于该第一表面的步骤之前，以降低该装置晶片的厚度，该第二晶圆薄化步骤实施在上述压贴该保护盖片于该间隔黏合层上的步骤之后与在上述制作该硅穿孔结构的步骤之前，以降低该载体晶片的厚度。