[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，设置于该基板上；

栅极绝缘层，设置于该栅极上；

第一图案化半导体层与第二图案化半导体层，设置于该栅极绝缘层上，其中该栅极设置于该基板与该第一图案化半导体层之间，该第一图案化半导体层设置于该第二图案化半导体层与该栅极绝缘层之间，且该第一图案化半导体层的面积大于该第二图案化半导体层的面积；以及

漏极与源极，设置于该第一图案化半导体层上，并与该第一图案化半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，另包括图案化绝缘层，设置于该第二图案化半导体层上，其中该图案化绝缘层与该第二图案化半导体层具有实质上相同的面积。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该图案化绝缘层与该第二图案化半导体层暴露出该第一图案化半导体层的两端。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中该漏极与该源极另设置于该图案化绝缘层上，该漏极与该源极分别直接接触该第一图案化半导体层的两端的顶面，且该漏极与该源极未接触该第二图案化半导体层的顶面。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，另包括图案化层间介电层，设置于该第二图案化半导体层上，其中该图案化层间介电层具有第一接触洞与第二接触洞，该第二图案化半导体层具有第三接触洞与第四接触洞，该第一接触洞与该第三接触洞相连通，该第二接触洞与该第四接触洞相连通，且该第三接触洞与该第四接触洞未覆盖该第一图案化半导体层。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中该漏极与该源极设置于该图案化层间介电层上并填入该第一接触洞、该第二接触洞、该第三接触洞与该第四接触洞中而与该第一图案化半导体层接触。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第一图案化半导体层与该第二图案化半导体层的材料分别包括氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓锌(IGZO)或其他种类的金属氧化物半导体。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一图案化半导体层的电阻值低于该第二图案化半导体层的电阻值。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一图案化半导体层与该第二图案化半导体层包含相同的材料，但该第一图案化半导体层为结晶金属氧化物半导体层而该第二图案化半导体层为非晶金属氧化物半导体层。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，包括下列步骤：

在一基板上形成一栅极；

在该栅极上形成一栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上依序形成一第一半导体层与一第二半导体层，其中该第一半导体层设置于该第二半导体层与该栅极绝缘层之间；

在该第二半导体层上形成一图案化绝缘层；

利用该图案化绝缘层作为一蚀刻掩模，并对该第二半导体层进行一第一蚀刻制作工艺以形成一第二图案化半导体层；

图案化该第一半导体层以形成一第一图案化半导体层，其中该第一图案化半导体层的面积大于该第二图案化半导体层的面积；以及

在该图案化绝缘层上形成一漏极与一源极，其中该漏极与该源极与该第一图案化半导体层电连接。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中该图案化绝缘层与该第二图案化半导体层具有实质上相同的面积。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其中该图案化绝缘层与该第二图案化半导体层暴露出该第一图案化半导体层的两端。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管的制作方法，其中该漏极与该源极分别直接接触该第一图案化半导体层的两端的顶面，且该漏极与该源极未接触该第二图案化半导体层的顶面。

14.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中该第一蚀刻制作工艺包括使用一第一蚀刻液所进行，且该第一蚀刻液包括铝蚀刻液(Al etchant)。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其中于该图案化该第一半导体层的步骤包括使用一第二蚀刻液所进行的一第二蚀刻制作工艺，且该第二蚀刻液包括草酸。