[发明专利]纳米级柱状物林的制作方法有效
| 申请号： | 201610977048.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106430083B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 卢马才 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 柱状 制作方法 | ||
1.一种纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一无机物膜层(20)；
步骤2、在所述第一无机物膜层(20)上涂布光阻材料，采用一道光罩对所述光阻材料进行曝光显影后，得到不完全覆盖所述第一无机物膜层(20)的光阻层(30)；
步骤3、采用惰性气体等离子体对所述第一无机物膜层(20)上未被所述光阻层(30)覆盖的区域进行离子轰击，将所述第一无机物膜层(20)上的部分无机物材料溅射转移至所述光阻层(30)的表面，在所述光阻层(30)的表面形成不连续的第二无机物膜层(40)；
步骤4、利用所述不连续的第二无机物膜层(40)作为掩膜，采用蚀刻气体等离子体对所述光阻层(30)进行蚀刻，在所述光阻层(30)的表面形成数个纳米级柱状物(50)，所述数个纳米级柱状物(50)组成纳米级柱状物林(60)。
2.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述第一无机物膜层(20)的厚度为1μm～1000μm。
4.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述第一无机物膜层(20)的材料包括氮化硅、氧化硅、及氮氧化硅中的至少一种。
5.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述光阻材料包括聚碳酸酯、聚乙二醇对苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜树脂、及聚酰亚胺中的至少一种。
6.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述惰性气体为氩气。
7.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述第二无机物膜层(40)的厚度为
8.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，所述蚀刻气体为氧气或者为氧气与氩气的混合气体。
9.如权利要求1所述的纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，所述纳米级柱状物(50)的高度为所述纳米级柱状物(50)的直径为
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