[发明专利]纳米级柱状物林的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米级柱状物林的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。

OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

通常液晶显示面板中的CF基板与TFT基板以及AMOLED显示面板中的TFT基板的制作过程均需要频繁使用到光刻技术，光刻技术又经常使用到光阻材料，这使得光阻材料在显示技术领域得到了广泛的应用。

现有一种在光阻表面形成纳米级柱状物林的技术，又称为光阻的纳米制绒技术，其可以使光阻的表面积急剧增大，从而在显示技术领域存在许多潜在的应用，例如可以应用于氧化铟锡剥离(ITO lift off)制程中：目前三光罩薄膜晶体管(3Mask TFT)制作技术通常是将钝化层(PV)与像素电极(Pixel ITO)放在同一道光罩制程内完成，但是该技术遇到了光阻(PR)层上沉积氧化铟锡(ITO)后的剥离问题，通常在光阻层上沉积ITO后再对光阻层进行剥离时会出现剥离时间较长、影响制程时间(Tact time)的问题，并且光阻剥离残留和毛边问题都会严重影响制程或产品性能。然而，在光阻层表面形成纳米级柱状物林后再进行ITO沉积，会使得沉积于光阻层上的ITO膜厚变小，并且光阻层表面的大量区域无法被ITO覆盖，因而与光阻剥离液接触后，光阻层比较容易被剥离。

对于晶圆(wafer)尺寸的基板，微显影技术可以在基板上形成纳米级别的图案，但对于如G4.5代线及以上的高世代线用玻璃基板，目前的微显影技术很难在其表面形成纳米级别的图案，因此，有必要提出一种采用非微显影技术在高世代线用玻璃基板上形成纳米级柱状物林的方法，以解决纳米级柱状物林在显示面板的生产中难以应用的问题。

发明内容